本发明通过将至少两种不同类型的粉末混合在一起并用粉末冶金法固结粉末以形成坯料，从而形成用于沉积器械的靶。然后由坯料形成靶。靶包括具有第一ＰＴＦ的第一材料相和具有高于第一ＰＴＦ的第二ＰＴＦ的第二材料相。第二ＰＴＦ也高于具有和靶相同的化学组...

一种具有多相的Ｃｏ－Ｃｒ－Ｂ－Ｐｔ溅射靶合金。合金可包括Ｃｒ、Ｂ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｈｆ、Ｏ、Ｓｉ和Ｎ。该合金通过将Ｐｔ粉末与Ｃｏ－Ｃｒ－Ｂ主合金混合，球磨粉末和热等静压以密化粉末成合金而制得。

一种制造磁记录介质的方法。该方法包括如下步骤：在衬底上面溅射至少第一下面层，其中该第一下面层包括铬基合金，以及在该第一下面层上面溅射至少第一中间层，其中该第一中间包括钴基合金。该方法还包括下述步骤：在该第一中间层上面溅射至少第一上面层，...

一种制造磁记录介质的方法，包括步骤：由溅射靶在衬底上反应性或非反应性地溅射至少第一数据存储薄膜层。溅射靶包括：钴（Ｃｏ）、铂（Ｐｔ）、包括第一金属和氧（Ｏ）的第一金属氧化物以及非反应性溅射时的第二金属氧化物。第一数据存储薄膜层包括钴（Ｃ...

一种溅射靶，该溅射靶包括钴（Ｃｏ）、大于０且小于等于２４原子百分数的铬（Ｃｒ）、大于０且小于等于２０原子百分数的铂（Ｐｔ）、大于０且小于等于２０原子百分数的硼（Ｂ）和大于０且小于等于１０原子百分数的金（Ａｕ）。该溅射靶进一步还包括Ｘ１，...

通过将溅射靶材的非溅射区域在宏观上进行粗糙化从而减少溅射重沉积物的影响。宏观上的粗糙化是通过在溅射靶材的非溅射区域中形成宏观槽形图案而获得。很多图案都可以用作槽形图案。除了宏观上将溅射靶材的非溅射区域粗糙化之外，还可以利用常规的喷丸、喷...

本发明提供了利用热等静压或者ＨＩＰ技术用新的溅射材料填充靶的损耗区来修复废弃的溅射靶。

本发明涉及一种掺杂非金属元素的溅射靶的制备方法，其中非金属元素包括硼、碳、氮、氧和硅。使用粉末工艺，由此将合金粉末混合、封装和进行等静热压固结，所述合金粉末包括非金属元素Ｂ／Ｃ／Ｎ／Ｏ／Ｓｉ，且非金属包括低于微米级的微观结构相。本发明的...

本发明涉及制造具有金属间化学组成的溅射靶，这使得它们可充分延展以进行加工和溅射。靶通过元素或合金粉末制造，其中至少一种具有非常细的粒度，例如４００目。元素或合金粉末被混合、装罐、在低温和高压下进行热等静压制、形成坯料、和被加工形成靶。

一种用于制造溅射靶的方法，其中通过产生溅射表面和正对溅射表面的背表面有选择地控制冷却速率。背表面包括至少第一纹理区。第一纹理区通过有效实现热散逸有助于冷却接近第一纹理区的溅射靶区域。

本发明涉及一种由具有基底金属的铁磁性合金与金属Ｘ构成的溅射靶，其中金属Ｘ为具有小于０．２６６ｎｍ的原子直径以及高于基底金属的氧化电位的金属。基底金属可以为Ｆｅ、Ｃｏ，或者其它任何铁磁性材料，并且可进一步由例如Ｐｔ、Ｔａ和／或Ｃｒ构成以增...

本发明提供了溅射靶材料，该溅射靶材料包括含Ｃｒ－Ｃ、Ｃｒ－Ｍ－Ｃ或Ｃｒ－Ｍ１－Ｍ２－Ｃ的合金体系，其中Ｃ占至少０．５到至多２０原子％；Ｍ占至少０．５到至多２０原子％并且是选自Ｔｉ、Ｖ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ和Ｗ的元素；Ｍ↓［１...

一种具有多相的Ｃｏ－Ｃｒ－Ｂ－Ｐｔ溅射靶合金。合金可包括Ｃｒ、Ｂ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｈｆ、Ｏ、Ｓｉ和Ｎ。该合金通过将Ｐｔ粉末与Ｃｏ－Ｃｒ－Ｂ主合金混合，球磨粉末和热等静压以密化粉末成合金而制得。

本发明提供了生产由式Ｃｏ↓［ｆ１］－（Ｍ↓［ｕ］Ｏ↓［ｖ］）ｆ↓［２］表示的一元基体钴基粒状介质合金组合物的方法，Ｍ表示选自下组中的基底金属：镁（Ｍｇ）、钛（Ｔｉ）、钒（Ｖ）、铬（Ｃｒ）、锰（Ｍｎ）、铁（Ｆｅ）、镍（Ｎｉ）、铜（Ｃｕ）、...

本发明提供了用在磁控溅射系统中的增强的溅射靶，该溅射靶包括有效表面和与有效表面相对的背面，靶材料从有效表面溅射。至少一个磁体嵌入该靶的背面并经过取向以增加穿过该靶的有效表面的磁场。

磁记录介质，其包括衬底、和在衬底上形成的数据存储薄膜层。数据存储薄膜层包括钴（Ｃｏ）、铂（Ｐｔ）、和多组分氧化物。多组分氧化物具有还原电位小于－０．０３电子伏特、原子半径小于０．２５纳米的阳离子。另外，多组分氧化物具有磁导率小于１０↑［...