本发明涉及气体扩散器清洗领域，具体公开了一种适用于化学清洗的半自动化清洗线，其包括：清洁线体、高压清洗室和自检平台；所述清洁线体包括清洁室，所述清洁室内依次设置有超声脱脂槽、碱洗槽、酸蚀槽、酸洗槽和超声热水洗槽，且相邻之间设置有水洗槽；...

本发明公开了一种适用于物理气相沉积工艺的石英锅等离子熔射方法，涉及石英锅等离子熔射技术领域，包括以下步骤：S1、遮蔽操作；S2、喷砂处理；S3、第一次检测操作；S4、第一次清洗操作；S5、第一次烘烤操作；S6、熔射操作；S7、第二次检测...

本发明公开了一种适用于物理气相沉积工艺的不锈钢部件的电弧熔射方法，涉及不锈钢电弧熔射技术领域。包括以下步骤：S1、去膜操作；S2、酸洗操作；S3、水洗研磨；S4、烘干操作；S5、检测操作；S6、遮蔽操作；S7、喷砂操作；S8、去除遮蔽；...

本实用新型涉及半导体零件加工领域，具体公开了一种半导体铝合金零部件烘干装置，包括烘干仓，所述烘干仓的内部安装有转动座，所述转动座的内部设置有放置板，所述零件放置柜的外侧壁贯穿开设有通风口，所述零件放置柜的内部设置有置物隔板，所述置物隔板...

本实用新型涉及喷砂机领域，具体公开了一种喷砂机的喷头角度调节装置，包括机架，所述机架的内部安装有机架穿杆，所述棘轮的一侧位于所述机架的内部安装有限位棘爪，所述机架穿杆的下方设置有固定连板，所述固定连板的一端安装有活动连板，所述角度盘与所...

本实用新型涉及铝阳极氧化领域，具体公开了一种针对腔体工件的专用辅助阴极，包括阴极平台，所述阴极平台的上方设置有阴极安装座，所述安装架外侧壁开设有阴极板插孔，所述阴极板插孔的内部位于所述安装架的外侧安装有阴极板，所述氧化工件与所述阴极安装...

本实用新型涉及托盘领域，具体公开了一种单晶硅及石英部件用托盘，包括托盘架，所述托盘架的上表面开设有置物槽，所述置物槽的内侧壁开设有取件槽，所述托盘架的下表面开设有滚轮收纳槽，所述滚轮收纳槽的内部安装有滚轮，所述滚轮与所述滚轮收纳槽之间安...

本实用新型涉及清洗设备领域，具体公开了一种带水枪的清洗槽体，包括水枪、上枪身、喷水压杆及外防护槽，所述喷水压杆的下端安装有定位齿，所述搭板的上方安装有卡齿安装仓，所述卡齿安装仓的内部安装有卡齿，所述外防护槽的内部安装有反应槽，所述反应槽...

本实用新型涉及高压水枪领域，具体公开了一种核心的零部件清洗用水枪，包括握柄，所述握柄的上端安装有上枪身，所述上枪身的外侧安装有喷水压杆，所述喷水压杆与所述上枪身之间连接有转轴，所述喷水压杆的下端安装有定位齿，所述定位齿的下方位于所述握柄...

本发明公开了一种半导体零部件超高清洗工艺，涉及半导体零部件清洗技术领域。包括以下步骤：S1、脱脂清洗；S2、第一次过滤清洗；S3、热水浸泡；S4、碱蚀槽浸泡；S5、第二次过滤清洗；S6、酸蚀槽浸泡；S7、第三次过滤清洗；S8、酸洗槽浸泡...