一种半导体零部件超高清洗工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体零部件超高清洗工艺，涉及半导体零部件清洗技术领域。包括以下步骤：S1、脱脂清洗；S2、第一次过滤清洗；S3、热水浸泡；S4、碱蚀槽浸泡；S5、第二次过滤清洗；S6、酸蚀槽浸泡；S7、第三次过滤清洗；S8、酸洗槽浸泡；S9、第四次过滤清洗；S10、高压冲洗处理；S11、热水超声清洗；S12、第五次过滤清洗；S13、吹干处理；S14、高温烘干。本发明专利技术通过设置超声脱脂剂槽对铝合金零部件进行清理操作，再依次进行热水浸泡、碱蚀槽浸泡、酸蚀槽浸泡、高压冲洗处理以及热水超声清洗，配合第一次过滤清洗、第二次过滤清洗、第三次过滤清洗、第四次过滤清洗以及第五次过滤清洗，从而去除零部件的灰尘粒子、金属离子、油污以及脏污。金属离子、油污以及脏污。金属离子、油污以及脏污。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体零部件超高清洗工艺


[0001]本专利技术涉及半导体零部件清洗
，具体为一种半导体零部件超高清洗工艺。

技术介绍

[0002]半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件，无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的，大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关联，铝合金除具有铝的一般特性外，由于添加合金化元素的种类和数量的不同又具有一些合金的具体特性，有较高的强度，比强度接近高合金钢，比刚度超过钢，有良好的铸造性能和塑性加工性能，良好的导电、导热性能，良好的耐蚀性和可焊性，可作结构材料使用，在航天、航空、交通运输、建筑、机电、轻化和日用品中有着广泛的应用。
[0003]在半导体的高要求的机台中，其中使用的配件对其要求也非常苛刻，其中有款CVD制程的SHOWERHEAD具有孔径精密，尺寸严苛的要求，其在制程内会有沉积物附着，为增加其使用寿本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体零部件超高清洗工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、脱脂清洗：将所需的半导体铝合金零部件放入配有超声的脱脂剂槽内进行脱脂清洗，清洗完成后拿出进行水枪喷洗；S2、第一次过滤清洗：将步骤S1喷洗后的半导体铝合金零部件，放入清水池进行过滤清洗，清洗拿出的产品进行水枪喷洗；S3、热水浸泡：将步骤S2中清洗后的半导体铝合金零部件，放入热水中浸泡，浸泡时间30
‑
40min，浸泡温度60
‑
70℃；S4、碱蚀槽浸泡：经过步骤S3浸泡的半导体铝合金零部件，放入碱蚀槽浸泡，浸泡完成后将产品拿出并进行水枪喷洗；S5、第二次过滤清洗：将步骤S4中喷洗后的半导体铝合金零部件，放入清水池再次进行过滤清洗，清洗拿出的产品进行水枪喷洗；S6、酸蚀槽浸泡：将步骤S5中喷洗后的半导体铝合金零部件，放入酸蚀槽浸泡，浸泡完成后将产品拿出并进行水枪喷洗；S7、第三次过滤清洗：将步骤S6的喷洗后的半导体铝合金零部件，放入清水池进行过滤清洗，清洗拿出的产品进行水枪喷洗；S8、酸洗槽浸泡：将步骤S7中喷洗后的半导体铝合金零部件，放入酸洗槽浸泡，浸泡完成后将产品拿出并进行水枪喷洗；S9、第四次过滤清洗：将步骤S8中喷洗后的半导体铝合金零部件，放入清水池进行过滤清洗，清洗拿出的产品进行水枪喷洗；S10、高压冲洗处理：将步骤S9水枪喷洗后的半导体铝合金零部件，进行高压冲洗处理操作，清洗完成后备用；S11、热水超声清洗：将步骤S10冲洗后的半导体铝合金零部件，利用热水超声清洗，清洗完成后备用；S12、第五次过滤清洗：将步骤S11中超声清洗后的半导体铝合金零部件，放入清水池进行过滤清洗；S13、吹干处理：将步骤S12过滤清洗后的半导体铝合金零部件，利用N2进行吹干处理；S14、高温烘干：将步骤S13吹干后的半导体铝合金零部件利用高温进行烘干处理，烘干后自然冷却处理。2.根据权利要求1所述的一种半导体零部件超高清洗工艺，其特征在于，所述步骤S1中脱脂剂槽内的清洗剂的温度为45
‑
55℃，清洗时间为3

【专利技术属性】
技术研发人员：许杰，袁林锋，张瑞，
申请(专利权)人：合肥升滕半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：