【技术实现步骤摘要】
基板处理设备
技术介绍
[0001]本文描述的专利技术概念的实施例涉及一种基板处理设备。
[0002]等离子体是指包括离子、自由基和电子的电离气态。等离子体由非常高的温度、强电场或射频(RF)电磁场产生。半导体器件制造工艺可以包括通过使用等离子体去除形成在诸如晶片的基板上的薄膜的蚀刻工艺。当等离子体中包含的离子和/或自由基与基板上的薄膜碰撞或与薄膜反应时，执行蚀刻工艺。
[0003]一种使用等离子体的基板处理设备包括真空氛围的处理室、在处理室中支撑基板的支撑卡盘、以及围绕安放在支撑卡盘上的基板的外周边的聚焦环。安装聚焦环以使等离子体以高均匀度性分布，并且与基板一起用等离子体进行刻蚀。当基板被重复蚀刻时，聚焦环也被蚀刻，使得聚焦环的形状逐渐改变。其中离子和/或自由基被输入到基板的方向根据聚焦环的形状的改变而改变，并且因此基板的蚀刻特性改变。因此，当特定数量或更多的基板被蚀刻或者聚焦环的形状被改变以偏离可允许范围时，需要更换聚焦环。
[0004]为了更换聚焦环，传送机器人从处理室中取出经使用的聚焦环并将聚焦环带入环盒中，然后从环盒...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板处理设备，包括：转位单元，所述转位单元包括负载罐和转位室，在所述负载罐中安放容器，所述转位室连接到所述负载罐；以及处理执行单元，所述处理执行单元具有连接到所述转位室的负载锁定室和配置为处理传送到所述负载锁定室的基板的处理室，其中所述转位单元还包括：对准单元，所述对准单元设置在所述转位室中并且配置为将传送到所述处理室的基板型传感器对准。2.如权利要求1所述的基板处理设备，其中所述对准单元包括：支撑构件，所述支撑构件配置为支撑所述基板型传感器；以及传感器构件，所述传感器构件配置为感测形成在所述基板型传感器中的凹口是否被对准。3.如权利要求2所述的基板处理设备，其中所述支撑构件包括：定位部分，所述定位部分配置为当从顶部观察时在第一方向和/或垂直于所述第一方向的第二方向上移动由所述支撑构件支撑的所述基板型传感器；支撑板，所述支撑板具有支撑所述基板型传感器的支撑表面；以及旋转轴，所述旋转轴配置为使所述支撑板旋转。4.如权利要求3所述的基板处理设备，其中所述支撑板具有抽吸孔，所述抽吸孔对由所述支撑表面支撑的所述基板型传感器进行真空抽吸。5.如权利要求4所述的基板处理设备，其中所述对准单元还包括：减压构件，所述减压构件配置为降低所述抽吸孔中的压力。6.如权利要求2所述的基板处理设备，其中所述传感器构件包括：照射部分，所述照射部分配置为照射光；以及光接收部分，所述光接收部分配置为接收由所述照射部分照射的所述光。7.如权利要求4所述的基板处理设备，其中所述转位单元还包括：第一传送机器人，所述第一传送机器人设置在所述转位室中并且配置为从所述容器中取出所述基板型传感器。8.如权利要求7所述的基板处理设备，还包括：控制器，其中所述控制器配置为：从所述容器中取出所述基板型传感器并将所述基板型传感器安放在所述支撑板上；以及控制所述第一传送机器人和所述对准单元以通过改变所述支撑板的位置和/或旋转所述支撑板来将所述基板型传感器对准。9.如权利要求8所述的基板处理设备，其中所述控制器配置为：当所述对准单元已经将所述基板型传感器完全对准时，控制所述第一传送机器人以将所述基板型传感器传送到所述负载锁定室。10.如权利要求8所述的基板处理设备，其中所述控制器配置为：当确定所述对准单元不可能将所述基板型传感器对准时，控制所述第一传送机器人以
将安放在所述支撑板上的所述基板型传感器传送到所述容器。11.如权利要求10所述的基板处理设备，其中所述控制器配置为：当气体在连接到所述抽吸孔的减压管线中流动预设时间段或更长时间时，确定所述对准单元不可能将所述基板型传感器对准。12.如权利要求10所述的基板处理设备，其中所述控制器配置为：当即使所述基板型传感器被旋转预设角度或更大角度，所述传感器构件也未感测到所述凹口时，确定所述对准单元不可能将所述基板型传感器对准。13.一种基板处理设备，包括：处理室，所述处理室具有用于处理基板的处理空间；转位室，所述转位室连接到负载罐，容器安放在所述负载罐中，获取所述处理空间的图像的基板型传感器被接收在所述容器中，并且所述转位室配置为将内部氛围维持在大气氛围下；至少一个传送机器人，所述至少一个传送机器人配置为在所述转位室与所述处理室之间传送所述基板或所述基板型传感器；以及对准单元，所述对准单元设置在所述转位室中并且配置为将所述基板型传感器对准。14.如权利要求13所述的基板处理设备，还包括：控制器，其中所述控制器配置为：从所述容器中取出所述基板型传感器并将所述基板型传感器传送到...
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