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杭州麦乐克电子科技有限公司专利技术
杭州麦乐克电子科技有限公司共有92项专利
4260纳米带通红外滤光片制造技术
本实用新型公开了一种4260纳米带通红外滤光片,包括以Si为原材料的基板、以Ge、Si、SiO为镀膜材料的第一镀膜层和以Ge、Si、SiO为镀膜材料的第二镀膜层,基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间,主要是第一镀膜层包含了由内到外依次排列...
3900纳米带通红外滤光片制造技术
本实用新型公开了一种3900纳米带通红外滤光片,包括以Si为原材料的基板、以Ge、SiO为镀膜材料的第一镀膜层和以Ge、SiO为镀膜材料的第二镀膜层,基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间,主要是第一镀膜层包含了由内到外依次排列二十九层不同...
7300纳米长波通红外滤光片制造技术
本实用新型公开了一种7300纳米长波通红外滤光片,包括成分为Ge的基板以及分别位于基板两侧面的第一镀膜层和第二镀膜层,第一镀膜层包含从内向外依次间隔排列,且厚度不一的Ge层和ZnS层;第二镀膜层也包含从内向外依次排列,且厚度不一的Ge层...
10560纳米带通红外滤光片制造技术
本实用新型公开了一种10560纳米带通红外滤光片,以Ge为原材料的基板、以Ge和ZnS为镀膜材料的第一镀膜层和第二镀膜层,所述基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间,其特征是第一镀膜层包含从内向外依次排列的厚度不同的Ge层和ZnS层,所述G...
3400纳米带通红外滤光片制造技术
本实用新型公开了一种3400纳米带通红外滤光片,包括以Si为原材料的基板、以Ge、SiO为镀膜材料的第一镀膜层和以Ge、SiO为镀膜材料的第二镀膜层,基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间,主要是第一镀膜层包含了由内到外依次排列不同厚度的镀...
3650纳米长波通红外滤光片制造技术
本实用新型公开了一种3650纳米长波通红外滤光片,包括以Si为原材料的基板,以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层,且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间,其特征是第一镀膜层和第二镀膜层均匀由不同厚度的Ge和SiO交互...
3000到5000纳米带通红外滤光片制造技术
本实用新型公开了一种3000到5000纳米带通红外滤光片,包括成分为SI的基板以及分别位于基板两侧面的第一镀膜层和第二镀膜层,第一镀膜层包含从内向外依次间隔排列,且厚度不一的Ge层和SiO层;第二镀膜层也包含从内向外依次排列,且厚度不一...
5500纳米长波通红外滤光片制造技术
本实用新型公开了一种5500纳米长波通红外滤光片,包括成分为Si的基板以及分别位于基板两侧面的第一镀膜层和第二镀膜层,第一镀膜层包含从内向外依次间隔排列,且厚度不一的Ge层和ZnS层;第二镀膜层也包含从内向外依次排列,且厚度不一的Ge层...
8000到14000纳米带通红外滤光片制造技术
本实用新型公开了一种8000到14000纳米带通红外滤光片,包括成分为GE的基板以及分别位于基板两侧面的第一镀膜层和第二镀膜层,第一镀膜层包含从内向外依次间隔排列,且厚度不一的ZnS层和Ge层;第二镀膜层也包含从内向外依次排列,且厚度不...
3.65微米至5微米宽带红外滤光片及其制作方法技术
本发明公开了一种3.65微米至5微米宽带红外滤光片及其制作方法,其特征是:采用尺寸为Φ18×1.0mm的单晶锗Ge作基板1,其表面光圈N≤5,局部光圈ΔN≤0.5,平行度θ≤1’,表面光洁度优于60/40;镀膜材料选择一氧化硅SiO和单...
10560纳米带通红外滤光片及其制作方法技术
本发明公开了一种10560纳米带通红外滤光片及其制作方法,其特征是:采用尺寸为Φ25.4×0.5mm的单晶锗Ge作基板;其表面光圈N≤5,局部光圈ΔN≤0.5,平行度θ≤1’,表面光洁度优于60/40;镀膜材料选择硫化锌ZnS和单晶锗G...
7.6微米前截止红外滤光片及其制作方法技术
本发明公开了一种7.6微米前截止红外滤光片及其制作方法,其特征是:采用尺寸为Φ25.4×1.0mm的单晶锗Ge作基板,其表面光圈N≤5,局部光圈ΔN≤0.5,平行度θ≤1’,表面光洁度优于60/40;镀膜材料选择硫化锌ZnS和单晶锗Ge...
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