3900纳米带通红外滤光片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种3900纳米带通红外滤光片，包括以Si为原材料的基板、以Ge、SiO为镀膜材料的第一镀膜层和以Ge、SiO为镀膜材料的第二镀膜层，基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间，主要是第一镀膜层包含了由内到外依次排列二十九层不同或相同厚度的镀膜材料SiO层和Ge层，第二镀膜层包含了有内到外依次排列十三层不同或相同厚度的镀膜材料SiO层和Ge层，本实用新型专利技术得到的3900纳米带通红外滤光片，能实现中心波长定位为3900±1％纳米，峰值透过率达90％以上，截止区透过率小于0.1％，大大提高了信噪比，为精确测量所需测量的气体提供了基本保证。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种滤光片，特别是3900纳米带通红外滤光片。
技术介绍
3900纳米红外波段是大气窗口中为数不多的几乎没有吸收的波段。故3900纳米带通红外滤光片，主要用于气体测试过程中作为比较基准，以精确测量和计算所测气体的实际浓度，但是目前市场上的3900纳米带通红外滤光片往往信噪比低，精度差，不能满足市场发展的需要。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决上述现有技术的不足而提供一种峰值透过率高，能极大的提高信噪比的3900纳米带通红外滤光片。为了实现上述目的，本技术所设计的3900纳米带通红外滤光片，包括以Si 为原材料的基板、以Ge、SiO为镀膜材料的第一镀膜层和以Ge、SiO为镀膜材料的第二镀膜层，基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间，其特征是第一镀膜层包含由内到外依次排列 142nm厚度的SiO层、117nm厚度的Ge层、540nm厚度的SiO层、64nm厚度的Ge层、343nm 厚度的SiO层、115nm厚度的Ge层、125nm厚度的SiO层、142nm厚度的Ge层、227nm厚度的 SiO层、225nm厚度的Ge层、360nm厚度的SiO层、87nm厚度的Ge层、395nm厚度的SiO层、 262nm厚度的Ge层、348nm厚度的SiO层、IMnm厚度的Ge层、314nm厚度的SiO层、116nm 厚度的Ge层、575nm厚度的SiO层、416nm厚度的Ge层、785nm厚度的SiO层、388nm厚度的 Ge层、944nm厚度的SiO层、430nm厚度的Ge层、855nm厚度的SiO层、385nm厚度的Ge层、 954nm厚度的SiO层、519nm厚度的Ge层、589nm厚度的SiO层；第二镀膜层包含由内到外依次排列的厚度的SiO层、236nm厚度的Ge层、2188nm厚度的SiO层、236nm厚度的 Ge层、547nm厚度的SiO层、236nm厚度的Ge层、547nm厚度的SiO层、236nm厚度的Ge层、 2188nm厚度的SiO层、236nm厚度的Ge层、441nm厚度的SiO层、312nm厚度的Ge层、405nm 厚度的SiO层。上述各材料对应的厚度，其允许在公差范围内变化，其变化的范围属于本专利保护的范围，为等同关系。通常厚度的公差在IOnm左右。本技术得到的3900纳米带通红外滤光片，能实现中心波长定位为3900士纳米，峰值透过率达90%以上，截止区透过率小于0. 1 %，大大提高了信噪比，为精确测量所需测量的气体提供了基本保证。附图说明图1是实施例整体结构示意图；图2是实施例提供的红外光谱透过率实测曲线图。图中第一镀膜层1、基板2、第二镀膜层3。具体实施方式以下结合附图和实施例对本技术进一步说明。实施例如图1所示，本实施例提供的3900纳米带通红外滤光片，包括以Si为原材料的基板2、以Ge、SiO为镀膜材料的第一镀膜层1和以Ge、SiO为镀膜材料的第二镀膜层3，基板2 位于第一镀膜层1和第二镀膜层3之间，第一镀膜层1包含由内到外依次排列142nm厚度的 SiO层、117nm厚度的Ge层、540nm厚度的SiO层、64nm厚度的Ge层、343nm厚度的SiO层、 115nm厚度的Ge层、125nm厚度的SiO层、142nm厚度的Ge层、227nm厚度的SiO层、225nm 厚度的Ge层、360nm厚度的SiO层、87nm厚度的Ge层、395nm厚度的SiO层、262nm厚度的 Ge层、348nm厚度的SiO层、IMnm厚度的Ge层、314nm厚度的SiO层、116nm厚度的Ge层、 575nm厚度的SiO层、416nm厚度的Ge层、785nm厚度的SiO层、388nm厚度的Ge层、944nm 厚度的SiO层、430nm厚度的Ge层、855nm厚度的SiO层、385nm厚度的Ge层、卯4nm厚度的SiO层、519nm厚度的Ge层、589nm厚度的SiO层；第二镀膜层包含由内到外依次排列的 547nm厚度的SiO层、236nm厚度的Ge层、2188nm厚度的SiO层、236nm厚度的Ge层、547nm 厚度的SiO层、236nm厚度的Ge层、547nm厚度的SiO层、236nm厚度的Ge层、2188nm厚度的SiO层、236nm厚度的Ge层、441nm厚度的SiO层、312nm厚度的Ge层、405nm厚度的SiO 层。如图2所示，本实施例得到的3900纳米带通红外滤光片，能实现中心波长定位为 3900 士 1 %纳米，峰值透过率达90 %以上，截止区透过率小于0.1%。权利要求1. 一种3900纳米带通红外滤光片，包括以Si为原材料的基板0)、以66、510为镀膜材料的第一镀膜层(1)和以Ge、SiO为镀膜材料的第二镀膜层(3)，基板( 位于第一镀膜层 (1)和第二镀膜层C3)之间，其特征是第一镀膜层(1)包含由内到外依次排列142nm厚度的 SiO层、117nm厚度的Ge层、540nm厚度的SiO层、64nm厚度的Ge层、343nm厚度的SiO层、 115nm厚度的Ge层、125nm厚度的SiO层、142nm厚度的Ge层、227nm厚度的SiO层、225nm 厚度的Ge层、360nm厚度的SiO层、87nm厚度的Ge层、395nm厚度的SiO层、262nm厚度的 Ge层、348nm厚度的SiO层、IMnm厚度的Ge层、314nm厚度的SiO层、116nm厚度的Ge层、 575nm厚度的SiO层、416nm厚度的Ge层、785nm厚度的SiO层、388nm厚度的Ge层、944nm 厚度的SiO层、430nm厚度的Ge层、855nm厚度的SiO层、385nm厚度的Ge层、卯4nm厚度的 SiO层、519nm厚度的Ge层、589nm厚度的SiO层；第二镀膜层(；3)包含由内到外依次排列的 547nm厚度的SiO层、236nm厚度的(ie层、2188nm厚度的SiO层、236nm厚度的Ge层、547nm 厚度的SiO层、236nm厚度的Ge层、547nm厚度的SiO层、236nm厚度的Ge层、2188nm厚度的SiO层、236nm厚度的Ge层、441nm厚度的SiO层、312nm厚度的Ge层、405nm厚度的SiO 层。专利摘要本技术公开了一种3900纳米带通红外滤光片，包括以Si为原材料的基板、以Ge、SiO为镀膜材料的第一镀膜层和以Ge、SiO为镀膜材料的第二镀膜层，基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间，主要是第一镀膜层包含了由内到外依次排列二十九层不同或相同厚度的镀膜材料SiO层和Ge层，第二镀膜层包含了有内到外依次排列十三层不同或相同厚度的镀膜材料SiO层和Ge层，本技术得到的3900纳米带通红外滤光片，能实现中心波长定位为3900±1％纳米，峰值透过率达90％以上，截止区透过率小于0.1％，大大提高了信噪比，为精确测量所需测量的气体提供了基本保证。文档编号G02B5/20GK202275176SQ20122009129公开日2012年6月13日 申请日期2012年3月12日 优先权日2012年3月12日专利技术者吕晶 申请人:杭州麦乐克电子科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吕晶，
申请(专利权)人：杭州麦乐克电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：