杭州电子科技大学专利技术

杭州电子科技大学共有19426项专利

  • 本实用新型涉及一种减振器。目前各类减振器普遍不能应用于大载荷的领域。本实用新型包括缸体和活塞,前端盖和后端盖分别与缸体的两端连接,其中前端盖的中心开有穿孔;前活塞杆的一端与活塞的前端面固定连接,另一端穿过前端盖的穿孔设置,后活塞杆的一端...
  • 本发明涉及一种化工场景下人员定位监测系统及定位方法。现有的定位设备成本高、定位精度低。本发明包括RS-485总线、无线传感器网络、数据转换装置和分布在各车间的分站网关。RS-485总线网络中的数据按照RS-485总线通讯协议进行通讯;无...
  • 本发明公开了一种垂直结构片上集成变压器,通过将变压器的结构制作成垂直于芯片水平方向,大大减小了所占用的芯片平面面积,从而减小了电感覆盖衬底的面积,使得变压器与衬底间的寄生电容减小,这样有利于提高变压器的谐振频率,该种结构适用于高频电路。
  • 本实用新型涉及一种具有p埋层的SOI?nLDMOS器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本实用新型在隐埋氧化层上下两侧分别设置p埋层区和p型半导体衬底,p埋层区上设置n型轻掺杂漂移区,轻掺杂漂移区顶部两侧分别设置p型阱区和n...
  • 本发明涉及一种具有P埋层的横向沟道SOILIGBT器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本发明顺序包括p型半导体衬底、隐埋氧化层、p埋层区、n型轻掺杂漂移区;n型轻掺杂漂移区顶部两侧嵌入第一p型阱区和n型缓冲区,第一p型阱区...
  • 本发明涉及一种具有p埋层的SOI?nLDMOS器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本发明中隐埋氧化层上下两侧分别设置p埋层区和p型半导体衬底,p埋层区上设置n型轻掺杂漂移区,轻掺杂漂移区顶部两侧分别设置p型阱区和n型缓冲区...
  • 本发明涉及一种具有p埋层的横向沟道SOILIGBT器件单元的制作方法。现有方法制作的SOILIGBT器件在高温、大电流环境下急剧退化甚至失效。本发明方法采用具有隐埋p型层的SOI材料制作SOILIGBT器件,纵向耐压靠具有逆向杂质浓度分...
  • 本实用新型涉及一种镍锌电池辅助充电装置。现有的充电器由于电压降不一致会导致电池寿命简短。本实用新型包括充电装置外壳、正电极、负电极和能产生0.9~1.0V稳压降的元件组;正电极设置在充电装置外壳的一端,负电极设置在充电装置外壳的另一端,...
  • 本发明涉及一种文件在线备份方法。传统的备份方法操作复杂,备份效率低。本发明包括文件备份和文件恢复两个阶段,备份时由备份代理将用户文件分块,把分块数据通过网络发送至存储服务器。恢复时,备份代理通过网络把原先备份的数据从存储服务器下载到本地...
  • 本实用新型涉及一种碎纸气化装置。目前家庭、学校、公司等产生的碎纸大多被当一般垃圾进行处理。本实用新型包括气化炉和储气罐。气化炉包括圆筒形的炉身和圆锥形的炉底,炉身内腔为气化室,气化室的下部设置有栅形加热板,炉底的锥形内腔为进气室,进气室...
  • 本实用新型涉及一种开缝式静态混合管。静态混合器在水处理、化工、石油、环保等行业均有广泛应用。本实用新型包括管体和螺旋叶片,螺旋叶片设置在管体内,并且螺旋叶片与管体同轴设置。所述的螺旋叶片为一矩形金属片沿中心线扭旋而成,矩形金属片的宽度H...
  • 本发明涉及一种协调多机器人系统的智能控制方法。现有的方法会使多机器人系统消耗过多的能量。本发明根据气味源释放气味分子的运动学模型,建立机器人对于气味源位置的观测模型;然后在每一个采样周期内,如果检测到气味,则使用Kalman滤波理论和机...
  • 本发明涉及一种基于信息融合机制的多机器人危险气味源定位方法。现有的方法对信息利用不完全,并且没有考虑通信约束,往往会使多机器人系统局部收敛。本发明方法首先建立信息融合矩阵和气味源位置均值分布的概率模型,并抽取均值信息存放到信息融合矩阵中...
  • 本发明涉及一种脱汞用飞灰/活性炭复合吸附剂的制备方法。现有的方法生产工艺复杂,费用昂贵。本发明首先将笋壳、飞灰、沥青、助剂放入粉碎机内充分粉碎、混合。其次将混合后的材料采用压片的方法来做出圆柱状的吸附剂前躯体。再将吸附剂前躯体放入马弗炉...
  • 本实用新型涉及一种嵌入横向可动电极的微惯性传感器。现有的传感器的噪声大、稳定性差,量程和带宽小。本实用新型包括第一基板及其上表面的检测用交叉梳齿状固定对电极、固定于第一基板上的敏感器锚点、固定质量块锚点、第二基板的悬于第一基板上方的条形...
  • 本发明涉及壳聚糖与硫酸化灰树花多糖共混凝胶冻干海绵及其制备方法和用途。壳聚糖与硫酸化灰树花多糖共混凝胶冻干海绵包含以下质量百分比成份:壳聚糖20%-98%、硫酸化灰树花多糖2%-80%。本发明采用天然动物多糖与植物多糖为原料,具有良好的...
  • 本实用新型涉及一种基于双界面SIM卡的耦合式射频识别手机。现有的支付式手机读写速度慢,数据传输不可靠。本实用新型包括手机本体,双界面SIM卡和耦合标签,双界面SIM卡设置在手机本体的SIM卡槽中,耦合标签设置在手机的后盖。双界面SIM卡...
  • 本实用新型涉及一种印染坯布染色过程色度检测电路。本实用新型包括2.5V精密电源和三个颜色信号处理电路,2.5V精密电源为颜色传感器供电,颜色传感器的输出端分别接至红色信号处理电路、绿色信号处理电路和蓝色信号处理电路,三个颜色信号处理电路...
  • 本实用新型涉及一种垂直结构片上集成螺旋电感。现有的螺旋电感存在额外的衬底能量损耗,降低了电感Q值。本实用新型处于同一芯片内的第一引线层、第二引线层、第一金属层、第二金属层、第三金属层、第一通孔、第二通孔、第三通孔和第四通孔。第一引线层的...
  • 本实用新型涉及一种基于高阶腔体谐振模式的高增益集成天线。传统天线的背腔由光滑的金属腔体构成,体积大加工成本高。本实用新型包括介质基片、涂覆在介质基片上表面的上金属层和涂覆在介质基片下表面的下金属层。多个贯穿上金属层、介质基片和下金属层的...