本发明提出了一种基于机器视觉的夜间车辆目标稳定跟踪方法。本发明通过判断稳定跟踪队列的状态，将原始图像传送给车辆跟踪或者检测模块处理；车辆跟踪模块接收图像之后，将使用稳定跟踪队列进行目标跟踪；然后，将稳定跟踪队列成功跟踪过的区域在图像中标...

本发明公开一种TiO2纳米花薄膜电极材料的制备方法及其应用。该方法是将纯钛片浸泡在浓度为4～8mmol/L的钛酸异丁酯醇溶液中，置于内衬为聚四氟乙烯的不锈钢反应釜内，封闭，拧紧反应釜，置于120～180℃的烘箱中，恒温反应18～24h，...

本发明涉及一种利用太阳能的温差液体提升装置及其方法。本发明中的装置包括集热均温器、透明盖板、防水密封层、隔热层、外壳和浮筒，集热均温器由吸热圆盘、均温换热棒、梯形直肋以及矩形直肋所构成。白天，集热均温器上部的吸热圆盘将太阳能转化为高温热...

本实用新型实施例公开了一种手套编织机控制器，包括主控模块、电磁铁驱动板和步进电机驱动板，主控模块包括采用STM32F407ZGT6作为主控制芯片的ARM微控制器，键盘电路，触摸式液晶屏，SD卡与Flash存储器以及U盘，其中，ARM微控...

本发明公开一种从高含铅玻璃中提取金属铅联产水泥原料的方法。该方法是将高含铅玻璃投加到浓度4～15mol/L的氢氧化钠溶液中，然后加入除杂剂，使得高含铅玻璃中Si离子与除杂剂中金属离子的摩尔比为1：0.9～3.0，120～300℃下反应5...

本实用新型实施例公开了一种多路烟花燃放子机控制和检测系统，用于多路检测、燃放多个烟花组，包括用于控制端的上位机，级联的多路烟花燃放子机且每路烟花燃放子机对应于控制一组烟花燃放，工作电源，进一步包括：转发板电路，连接于上位机和其中一路烟花...

本发明公开一种TiO2纳米棒阵列薄膜电极材料的制备方法及其应用。该方法是常温常压条件下，将纯钛片在浓度为8～10mol/L的HCl溶液或H2SO4溶液中浸泡12～24h，反应完毕后，用去离子水清洗，洗至pH值为7，70～110℃干燥，4...

本发明涉及一种判断室内有无人的空调自动开关装置。该装置包括电源模块，人体感应模块，电流检测模块，控制器模块和开关控制模块。电源模块,用于为其他模块进行供电；人体感应模块，用于监测室内有无人以及人进出状态；电流检测模块,用于检测当前空调是...

本发明公开一种基于场景几何约束的目标检测滑窗扫描方法。现有的基于单目摄像头的全图滑窗穷搜索方法，存在搜索效率低导致检测系统无法达到实时的问题。本发明公开了一种基于场景几何约束的目标检测滑窗扫描方法。该方法利用八个控制点和直接线性变换算法...

本发明公开了一种结合空间信息的高光谱分类结果优化方法。常规的高光谱图像分类技术主要关注于如何更好地利用光谱空间的分类信息，往往忽视图像空间域信息。本发明在利用数据进行自身光谱特征分类的同时采用自适应阈值边缘提取和内部膨胀法相结合的空间域...

本发明提出了一种人脸生物密钥生成方法。本发明将用户正面人脸图像经特征空间变换后，向高维空间中投影，在高维空间中将人脸特征信息稳定到可接受的波动范围内，再对稳定后的特征向量提取数字序列，从数字序列中编码生成生物密钥。整个方法在移动终端、认...

本发明涉及一种定点开平方实时计算方法。本算法采用一种改进型的牛顿迭代法结合Q格式数据转化进行32位以内定点的开平方运算。先根据CPU中的数据以二进制进行存储特点，判断出数据的大小，然后将该数做适当的放大，接着快速估算出被开方数的平方根所...

本发明公开一种TiO2纳米网络薄膜电极材料的制备方法及其应用。该方法是常温常压条件下，将纯钛片置于浓度为11～13mol/L的NaOH溶液或KOH溶液中浸泡1～6天后，用超纯水清洗后，浸入到浓度为0.1～0.4mol/L的HCl溶液中浸...

本发明涉及一种氧化锌纳米柱薄膜及其制备方法。氧化锌纳米柱薄膜的微观结构具有六角柱状。其制备方法为将的六水合硝酸锌溶于去离子水中，通过搅拌配置成透明的硝酸锌溶液，然后逐滴加入氨水，使之形成透明的氨水络合物，然后，取适当溶液移入耐高压水热釜...

本发明公开了一种超声波声学系统输出端振幅测量装置及方法，现有技术存在对振幅位移的标定和校准比较困难和精度较差的问题，该装置包括底板、步进电机、精密微距测量仪、测量仪支架、套筒、激光发射器、传感器支架、激光传感器、主支架、固定板、法兰盘、...

本发明公开一种湿法提取废CRT锥玻璃中铅的方法。该方法是将CRT锥玻璃投加到浓度8～20mol/L的氢氧化钠溶液中，然后加入沉淀剂，使得CRT锥玻璃中Pb离子与沉淀剂中S离子的摩尔比为1:1.2～5，100～220℃下反应8～15h；反...

本实用新型公开了基于SOI工艺的漏/源区介质(PN结)隔离前栅P-MOSFET射频开关超低损耗器件，将SOIP-MOSFET器件源(漏)区进行改造，在源(漏)区形成PN结或者介质电容，源区结深较深，漏区中间制造P型掺杂或者介质，形成PN...

本实用新型公开了基于SOI工艺的漏/源区介质(PN结)隔离前栅N-MOSFET射频开关超低损耗器件,将SOIN-MOSFET器件源(漏)区进行改造，在源(漏)区形成PN结或者介质电容，源区结深较深，漏区中间制造P型掺杂或者介质，形成PN...

本实用新型公开了一种直流有刷电机综合控制器，包括驱动电路和档位控制电路，包括驱动电路和档位控制电路，驱动电路包括两个MOS管半桥驱动芯片、两个二极管、两个钽电容C7、六个独石电容四个MOS管、四个电阻，档位控制电路包括三个座子、一个控制...

本实用新型公开了一种带死区调整的IGBT驱动电路，包括滑动变阻器R1、第一电阻R2、第二电阻R3、第三电阻R4、第四电阻R5、第五电阻R6、第六电阻R7、第七电阻R8、第八电阻R9、第九电阻R10、第十电阻R11、第一电容C1、第二电容...