一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及阴极，阴极包括层叠于电子注入层表面的三元掺杂层及层叠于三元掺杂层表面的金属层；三元掺杂层的材料包括钝化材料、掺杂在钝化材料中的噻吩及低功函数金属，...

一种铈锡共掺杂氟磷酸盐发光材料，其化学式为Me5-x-y(PO4)3F：xCe3+,ySn4+，其中，x为0.01～0.05，y为0.01～0.06，Me为镁离子，钙离子，锶离子或钡离子。该铈锡共掺杂氟磷酸盐发光材料制成的发光薄膜的电致...

一种铈掺杂三族钒硅酸盐发光薄膜，其化学式为Me3VSi3O13:xCe3+，其中，0.01≤x≤0.05，Me3VSi3O13是基质，铈元素是激活元素，Me为Al,Ga,In或Tl。该铈掺杂三族钒硅酸盐发光薄膜的电致发光光谱（EL）中，...

本发明提供了一种有机半导体材料，所述有机半导体材料的化学式如下所示：本发明有机半导体材料具有双极性载流子传输能力，使在发光层中的空穴和电子传输平衡；同时还具有较高的三线态能级及优良的热稳定性能，有效的防止发光过程中能量回传给主体材料，大...

本发明提供了一种有机半导体材料，所述有机半导体材料的化学式如下所示：本发明有机半导体材料具有双极性载流子传输能力，使在发光层中的空穴和电子传输平衡；同时还具有较高的三线态能级及优良的热稳定性能，有效的防止发光过程中能量回传给主体材料，大...

一种铕铒双掺杂硒化锌发光材料，其化学式为ZnSe：xEu3+，yEr3+，其中，x为0.01～0.05，y为0.01～0.06，ZnSe是基质，Eu3+和Er3+离子是激活元素。该铕铒双掺杂硒化锌发光材料制成的发光薄膜的电致发光光谱（E...

本发明提供了一种有机半导体材料，所述有机半导体材料的化学式如下所示：本发明有机半导体材料具有双极性载流子传输能力，使在发光层中的空穴和电子传输平衡；同时还具有较高的三线态能级及优良的热稳定性能，有效的防止发光过程中能量回传给主体材料，大...

本发明提供一种有机电致磷光材料及其制备方法与有机电致发光器件。本发明提出具有下述通式（P）的有机电致磷光材料：其中，R基团为苯基、芴基、或咔唑基。该有机电致磷光材料（P）是以2-(2',4'-二氟-3'-氰基苯基)嘧啶为环金属配体并以5...

本发明提供了一种有机半导体材料，所述有机半导体材料的化学式如下所示：本发明有机半导体材料具有双极性载流子传输能力，使在发光层中的空穴和电子传输平衡；同时还具有较高的三线态能级及优良的热稳定性能，有效的防止发光过程中能量回传给主体材料，大...

提供了一种硫代钨酸盐荧光粉及其制备方法和应用。本发明提供的硫代钨酸盐荧光粉结构式为AgR1-x(WS4)2：xHo3+，其中R为Y、La、Gd或Lu，x的取值范围为0.01～0.06，具有良好的结构稳定性，可由长波辐射激发出蓝光，在49...

本发明提供了一种钕镱共掺杂硫化锆上转换荧光粉，该钕镱共掺杂硫化锆上转换荧光粉的化学通式为Zr1-x-yS2：xYb3+，yNd3+，其中，ZrS2为基质，Yb和Nd为掺杂元素，x的取值范围为0.01～0.1，y的取值范围为0.004～0...

本发明提供了一种有机半导体材料，所述有机半导体材料的化学式如下所示：本发明有机半导体材料具有较高的三线态能级，有效的防止发光过程中能量回传给主体材料，从而大大提高发光效率，并且具有较高的热稳定性；本发明还提供了该有机半导体材料的制备方法...

本发明涉及一种有机电致磷光材料及其制备方法与有机电致发光器件，该有机电致磷光材料(P)具有如下结构：(P)，其中，R为H或C1～C20的直链或支链烷基。本发明的有机电致磷光材料以2-(2',3',4'-三氟苯基)嘧啶为环金属配体，以2-...

本发明提供一种有机电致磷光材料及其制备方法与有机电致发光器件。本发明提出具有下述通式（P）的有机电致磷光材料：其中，R为C1～C20的直链或支链烷基，或氢原子。本发明提供的有机电致磷光材料是以2-(2′,4′-二氟-3′-氰基苯基)嘧啶...

本发明提供一种有机电致磷光材料及其制备方法与有机电致发光器件。本发明提出具有下述通式（P）的有机电致磷光材料：其中，R为C1～C20的直链或支链烷基，或氢原子。该有机电致磷光材料（P）是以2-(2',4'-二氟-3'-氰基苯基)嘧啶为环...

本发明提供了一种有机半导体材料，所述有机半导体材料的化学式如下所示：本发明有机半导体材料具有较高的三线态能级，有效的防止发光过程中能量回传给主体材料，从而大大提高发光效率，并且具有较高的热稳定性；本发明还提供了该有机半导体材料的制备方法...

本发明提供了一种钕镱共掺杂硫代钼酸盐上转换发光材料，其化学式为RLa1-x-y(MoS4)2：xNd3+,yYb3+，其中，R=Li,Na,K,Rb或Cs，0.01≤x≤0.08，0.01≤y≤0.1。该钕镱共掺杂硫代钼酸盐上转换发光材...

一种钛锰共掺杂钒硅酸盐发光材料，其化学式为Me2V2Si3O14:xTi4+，yMn4+，其中，x为0.01～0.05，y为0.005～0.03，Me为铝离子，镓离子，铟离子或铊离子。该钛锰共掺杂钒硅酸盐发光材料制成的发光薄膜的电致发光...

本发明提供了一种铥钬共掺杂二硫化锆上转换荧光粉，该铥钬共掺杂二硫化锆上转换荧光粉的化学通式为ZrS2：xTm3+，yHo3+，其中，ZrS2为基质，Tm3+和Ho3+为掺杂离子，x的取值范围为0.002～0.06，y的取值范围为0.00...

本发明提供了一种有机半导体材料，所述有机半导体材料的化学式如下所示：,本发明有机半导体材料具有双极性载流子传输能力，使在发光层中的空穴和电子传输平衡；同时还具有较高的三线态能级及优良的热稳定性能，有效的防止发光过程中能量回传给主体材料，...