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海洋王照明科技股份有限公司专利技术
海洋王照明科技股份有限公司共有6146项专利
硼掺杂石墨烯薄膜及其制备方法与应用技术
本发明涉及一种硼掺杂石墨烯薄膜的制备方法,具体包括如下步骤:将衬底放入无氧反应室中,并将衬底加热到500~1300℃,充入气体碳源、气体硼源及惰性气体,反应30~300分钟后停止通气并将所述衬底放入FeCl3溶液中,直至所述衬底完全溶解...
一种电池隔膜及其制备方法技术
本发明公开了一种电池隔膜的制备方法,包括以下步骤:(1)将隔膜基体清洗后干燥,放入化学气相沉积设备中;(2)调节化学气相沉积设备中的压力为10~1000Pa,温度为50~120℃,通入硅烷与氧气,并开启紫外灯,照射隔膜基体1~60分钟;...
一种电池隔膜及其制备方法与电化学电容器技术
本发明公开了一种电池隔膜,包括隔膜基体与氧化物涂层,所述氧化物涂层的材质包括氧化钡和粘结剂。本发明还公开了一种电池隔膜的制备方法,包括以下步骤:(1)提供清洁干燥的隔膜基体;(2)将氧化钡粉末研磨后加入粘结剂,充分研磨均匀后得到氧化钡/...
场发射光源制造技术
本发明公开了一种场发射光源,包括:侧壁、阴极基板、阳极基板、阴极导电层、阳极导电层和发光层;所述侧壁、所述阴极基板以及所述阳极基板形成密封腔,所述密封腔内充满中性气体;所述中性气体为氢气、氮气、氦气和氩气中的至少一种;所述阴极导电层和所...
阳极板用导电玻璃及其制备方法技术
本发明提供了一种阳极板用导电玻璃及其制备方法。该阳极板用导电玻璃,包括导电玻璃基板及形成于导电玻璃基板表面的增透膜;其中,增透膜的表面形成有多个凹槽;增透膜的材料为氟化镁、氟化钙、氟化钡及冰晶石中的至少一种。上述阳极板用导电玻璃,选用比...
一种场发射阴极及其制备方法技术
本发明提供了一种场发射阴极,包括基板、设置在基板上的导电薄膜和形成在导电薄膜上的电子发射体阵列,所述导电薄膜与电子发射体阵列之间设置有一厚度为0.4~0.8μm的金属缓冲层,所述金属缓冲层的材料为热膨胀系数介于所述基板与所述电子发射体阵...
聚合物电解质及其制备方法、超级电容器及应用技术
本发明适用于新材料领域,提供了一种聚合物电解质及其制备方法、超级电容器及应用。本发明聚合物电解质,含有活性填料、聚甲基丙烯酸甲酯、有机离子液体电解液;其中,活性填料和聚甲基丙烯酸甲酯重量之比为3~20:100。本发明聚合物电解质,包括聚...
石墨烯/离子液体复合材料及其制备方法与电化学电容器技术
本发明涉及一种石墨烯/离子液体复合材料及其制备方法,该制备方法包括如下步骤:(a)制备石墨烯;(b)制备石墨烯/离子液体复合材料。本发明还涉及采用该石墨烯/离子液体复合材料作为电极材料所制备的电化学电容器。本发明的制备方法,所制备的石墨...
超级电容器极片及其制备方法技术
一种超级电容器极片,包括集流体、形成于所述集流体表面的导电层及形成于所述导电层表面的活性层;所述导电层的材料包括导电层活性材料、导电层导电剂及导电层粘结剂,所述导电层活性材料、所述导电层导电剂及所述导电层粘结剂的质量比为5~48:50~...
凝胶聚合物电解质及其制备方法、超级电容器及其应用技术
本发明提供了一种聚(偏二氟乙烯-六氟丙烯)基凝胶聚合物电解质及其制备方法、超级电容器及其应用。该凝胶聚合物电解质含有活性填料、聚(偏二氟乙烯-六氟丙烯)、有机离子液体电解液;其中,活性填料和聚(偏二氟乙烯-六氟丙烯)的重量之比为3~20...
聚合物电解质及其制备方法、超级电容器及应用技术
本发明适用于新材料领域,提供了一种聚合物电解质及其制备方法、超级电容器及应用。本发明聚合物电解质,含有活性填料、聚氯乙烯、有机离子液体电解液;其中,活性填料和聚氯乙烯重量之比为3~20:100。本发明聚合物电解质,包括聚氯乙烯微孔膜,该...
聚合物电解质及其制备方法、超级电容器及应用技术
本发明适用于新材料领域,提供了一种聚合物电解质及其制备方法、超级电容器及应用。含有活性填料、聚氧化乙烯、有机离子液体电解液;其中,活性填料和聚氧化乙烯重量之比为3~20:100。本发明聚合物电解质,包括聚氧化乙烯微孔膜,该聚氧化乙烯微孔...
聚合物电解质及其制备方法、超级电容器及应用技术
本发明适用于新材料领域,提供了一种聚合物电解质及其制备方法、超级电容器及应用。本发明聚合物电解质,含有活性填料、聚醋酸乙烯酯、有机离子液体电解液;其中,活性填料和聚醋酸乙烯酯重量之比为3~20:100。本发明聚合物电解质,包括聚醋酸乙烯...
一种正极集流体及其制备方法和应用技术
本发明提供了一种正极集流体及其制备方法,包括以下步骤:提供洁净金属铝箔;取石墨烯、磷酸和粘结剂加入到有机溶剂中,搅拌均匀形成浆料,将所述浆料均匀涂覆在金属铝箔的一面,然后置于烘箱中,在80~100℃下干燥6~12小时;干燥完毕后,将上述...
掩膜板及其制备方法技术
本发明公开了一种掩膜板,包括衬底和沉积在所述衬底的一侧的薄膜层;所述衬底上设置有通孔,所述薄膜层与所述通孔对应的区域设置有掩膜图案,所述薄膜层的材质为金属或金属氧化物。上述掩膜板包括衬底和沉积在衬底一侧的薄膜层,衬底上设置有通孔,并且薄...
偏硅酸钙发光材料及其制备方法技术
一种偏硅酸钙发光材料,其化学通式为:具有如下化学通式:Ca1-x-ySiO3:Pbx,Mny,Mz,所述M掺杂在Ca1-x-ySiO3:Pbx,Mny中,所述M为Ag、Au、Pt、Pd和Cu金属纳米粒子中的至少一种,0<x≤0.0...
地埋灯制造技术
一种地埋灯,包括灯体、场发射光源及透明板。场发射光源为冷光源,在工作过程中发热少。因此,上述地埋灯在工作时可避免表面温度过高,从而消除安全隐患。透明板包括第一表面及与第一表面相对设置的第二表面,第一表面为平面,第二表面为凹形弧面。光线从...
聚合物电解质及其制备方法、超级电容器及应用技术
本发明适用于新材料领域,提供了一种聚合物电解质及其制备方法、超级电容器及应用。该聚合物电解质含有活性填料、聚丙烯腈、有机离子液体电解液;其中,活性填料和聚丙烯腈重量之比为3~20:100。本发明聚合物电解质,包括聚丙烯腈微孔膜,该聚丙烯...
含环戊二烯二噻吩-苯并二(苯并噻二唑)共聚合物及其制备方法和应用技术
一种含二噻唑单元的苯并二噻吩类共聚物,具有如下结构式:P:其中,R1、R2、R5、R6为H、C1~C16的烷基,R3为C1~C16的烷基、C1~C16的烷氧基或结构式为的噻吩(R为C1~C16的烷基),R4为H、C1~C16的烷基、C1...
一种含苯并二噻吩-苯并二(苯并噻二唑)共聚物及其制备与应用制造技术
本发明提供一种含苯并二噻吩-苯并二(苯并噻二唑)共聚物及其制备与应用,所述含苯并二噻吩-苯并二(苯并噻二唑)共聚物为具有如下通式的化合物P,其中,R1,R2为C1~C20的烷基,R3,R4为C1~C20的烷基、C6~C16的烷氧基或者噻...
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