一种钛合金表面激光熔覆涂层复合材料，涉及一种涂层材料。采用目前的涂层材料制备的增强相存在界面浸润性不好、结合强度低、分散性不好、易偏聚和成团、热稳定不好等缺点。本发明材料是由ＮｉＣｒＢＳｉ粉与占ＮｉＣｒＢＳｉ粉２ｗｔ．％～１０ｗｔ．％的...

复合等离子体表面处理装置。本发明涉及一种工件表面处理装置。扩散泵（２）通过管道（４）与真空室（１－２）和旋片泵（３）相连接，真空室１－２的上盖１－３与二级真空室（６－１）相连接，真空室（１－２）的侧壁上设有观察窗（１－６），真空室（１－...

绝缘材料零部件等离子体注入方法及其注入装置，涉及一种对绝缘材料零部件的离子注入方法及注入装置。传统的等离子体注入的条件是工件能够导电，对于绝缘材料无法注入。本发明的注入方法，是在绝缘材料零部件（１）的外部设置接脉冲高压电源负极的、可与绝...

一种细长管筒内表面溅射沉积涂层方法，它涉及细长管筒内表面的涂层工艺。本发明的工艺步骤是：将阴、阳两个电极上下对应地设在细长管筒内，然后将脉冲高压电源与设在细长管筒内的两个电极相连接，阴极与阳极的距离为５ｍｍ～２０ｍｍ，溅射电压为１０ＫＶ...

化学镀镍溶液和以其制备镀镍层的方法及铝合金轮毂镀层，它涉及一种化学镀镍溶液、以该化学镀镍溶液制备镀镍层的方法及由以该化学镀镍溶液制备的镀镍层组成的铝合金轮毂镀层。本发明的化学镀镍溶液由５．６～６．０ｇ／ｌ　　Ｎｉ↑［２＋］、２５～３０ｇ...

一种提高镁合金耐蚀性的复合处理方法，它涉及一种提高镁合金耐蚀性的处理方法，特别涉及一种提高镁合金耐蚀性的等离子体浸没离子注入方法。本发明按照下述步骤进行：首先对镁合金进行化学氧化，将镁合金浸入ｐＨ值为４～５的氧化溶液中，在温度为８０～９...

周期作业渗碳炉稀土可控变碳势渗碳方法，它涉及一种稀土可控变碳势渗碳方法。本发明当升温排气阶段渗碳炉内的温度上升至８２０℃时，开始向渗碳炉内滴入稀土渗碳剂，使渗碳炉内的碳势Ｃ↓［ｐ］从８２０℃时的０．６％分时段升至关孔时的１．４５％，渗碳...

连续炉汽车变速箱齿轮微变形稀土碳共渗方法，它涉及一种渗碳方法。本发明是这样实现的：ａ．将预处理的工件送入每个区间都装有稀土共渗剂的连续式渗碳炉中，工件进入Ⅰ区，在温度为８４０～８９０℃的条件下进行预热和预渗处理；ｂ．依次进入Ⅱ区和Ⅲ区，...

一种合金薄板的制备方法，它涉及一种制备合金薄板工艺的改进。本发明的目的是为解决难以塑性变形的金属材料及金属间化合物的薄板的制备问题。本发明准备待蒸发的材料棒和基板；将待蒸发的材料棒分别放入水冷铜坩埚中，将基板安装在基板转轴上，并将真空室...

一种实现等离子体升温注渗的方法及其装置，它属于等离子体基离子注入的技术领域，它是为了解决现有的注渗工艺过程中只依靠等离子体的注入对工件加热而使注渗工艺参数难以选择的问题。本发明的红外测温装置５的信号输入端连接真空室１０的温度测试口，５的...

本发明涉及一种以金属间化合物或其组成元素为原材料，采用电子束物理气相沉积制备金属间化合物／金属多层薄板的方法。当以金属间化合物铸锭为原材料时，将金属间化合物铸锭放入坩埚后，直接用电子枪进行蒸镀，并在基板上沉积即可；当以金属间化合物的组成...

本发明涉及一种关于金属／氧化物弥散强化金属多层薄板制备的新工艺。采用电子束物理气相沉积（ＥＢ－ＰＶＤ）方法制备多层薄板。首先加热、蒸镀分离层材料，并使分离层材料的蒸汽在加热的基板上冷凝、沉积，得到分离层；接着在始终加热、蒸镀制备多层薄板...

本发明是一种关于制备陶瓷颗粒弥散强化金属间化合物基复合材料薄板的新工艺。采用电子束物理气相沉积（ＥＢ－ＰＶＤ）方法制备复合材料薄板。首先加热、蒸镀分离层材料，并使分离层材料的蒸汽在加热的基板上冷凝、沉积，得到分离层；接着同时加热、蒸镀制...

稀土真空高压脉动低温化学热处理方法及其系统，它涉及一种化学热处理方法及其装置。为解决现有化学热处理工艺存在生产过程周期长、效率低、温度高、能耗高、变形大的缺点，本发明的方法包括下述步骤：将工件置于真空马弗罐中，依次加入稀土的醇溶液→ＮＨ...

静电场约束喷射沉积方法，涉及一种喷射沉积方法。现有的喷射沉积方法存在浪费原料、效率低的弊端。本发明提供一种可以使雾化金属液滴全部喷射到坯锭上且可以加剧非平衡凝固的效果的静电场约束喷射沉积方法，使喷射沉积设备内的金属熔液（１）与电荷源（２...

一种可选金属液滴尺寸的喷射沉积方法，涉及一种喷射沉积方法。针对现有的喷射沉积方法不能得到高质量坯锭的弊端，本发明提供一种可选金属液滴尺寸的喷射沉积方法，使喷射沉积设备内的金属熔液（１）与电荷源（２）连接，在喷嘴（３）与坯锭（４）之间设置...

铝或铝合金基体表面离子注入与沉积复合强化处理方法，它涉及一种金属材料表面离子注入与沉积复合强化处理方法。它解决了类金刚石碳膜与铝或铝合金基体间残余应力大、结合力和承载能力差，ＤＬＣ在高速重载条件下耐磨损性能低，易从铝或铝合金基体上剥落的...

ＧａＡｓ基ＩｎＳｂ薄膜的分子束外延生长方法，涉及一种用在霍尔器件、磁阻传感器与光电探测器领域中的ＩｎＳｂ薄膜的外延制备工艺。为了减小ＧａＡｓ与ＩｎＳｂ较大的晶格失配，本发明先采用衬底温度６００℃，Ｇａ束流为６×１０↑［－７］ｍｂａｒ，Ａ...

铝合金热交换器导管和翘片复合钎料的冷喷涂方法，它涉及汽车铝合金热交换器的制备方法。它解决了现有ＮＯＣＯＬＯＫ钎焊工艺工序复杂，而复合铝箔的制造过程中，产品质量不易控制，热轧制法生产、成材率低；冷轧复合法成本高及爆炸焊接加扎制方法应用难和...

一种含有掺杂剂元素的石墨靶材的制备方法，它涉及一种石墨靶材的制备方法。它解决了目前传统方法制备的石墨靶材产生大量宏观粒子、降低了作为阴极电弧源所制得的非晶金刚石薄膜的质量以及高压石墨靶产生的等离子体束强度弱、熔覆效率低、易裂开以及电阻率...