在对硅平面型功率晶体管管芯ｃｂ结低击穿、管道击穿、多段击穿、大漏电，以及ｃｅ结穿通等产生原因的研究分析的基础上，提出一种刻蚀沟槽和低温钝化相结合的刻槽硅平型功率晶体管管芯制造技术。大幅度的提高功率晶体管管芯的合格率和高档品率，并使整批管...

激光直接钎料凸点制作方法，它涉及芯片级封装、倒装焊的凸点制作工艺的改进。现有的凸点制作技术主要有蒸发、电镀、模板印刷、金属喷射（ＭＪＴ）等。这些方法都有广泛的应用，但都存在不足，有一定的应用限制。本发明的方法是这样实现的：首先将惰性气体...

本发明提供的是一种相变式自检测压力传感器及其制作方法。它包括硅杯，在硅杯的杯底上设置有压敏电阻，它还包括硅片底板和隔热玻璃板，隔热玻璃板上开有透气孔，硅片底板上开有相变物质充填孔并且在其上表面上设置有加热电阻，硅杯倒置安装在隔热玻璃板上...

一种高频电磁辐射钎料微凸台重熔互连方法，其特征是它是通过下述步骤予以实现的，（一）在电子器件的互连焊盘表面预置钎料和钎剂；（二）用高频电磁辐射电子器件的互连焊盘处的钎料，互连焊盘处的钎料在高频电磁辐射的作用下自发热熔化并在互连焊盘表面润...

本发明涉及一种集成电路芯片面阵列封装方法所使用锡球的制造设备。双电热丝熔切法锡球制备机由送丝机１、剪丝机构２、相同的两个电热丝１１、罩体７、平台４和油盒１２组成，１、２、１１、４和１２都封闭在７内，１设置在７内的上部，２设置在１的下方，...

本发明公开集成电路芯片面阵列封装的凸点制作方法。双电热丝熔切直接钎料凸点制作方法通过下述步骤实现：一、通过载物台在水平面上的位置调整，使固定在载物台上的基板焊盘移动到所需要制作凸点的位置对准设置在基板焊盘上方的钎料丝及导向定位漏斗；二、...

层压式陶瓷热电偶及其制备方法，它涉及一种测量高温的热电偶装置及其制备工艺。它由上绝缘基板１、正极板２、正电极２－１、中绝缘基板３、负极板４、负电极４－１、下绝缘基板５组成；１右侧开有第一通孔６，６中镶嵌有导电端子７，５右侧开有第三通孔１...

硬脆材料的摩擦电化学研抛方法，它是对传统抛光技术的改进。它按照下述步骤进行：将需要进行抛光处理的硬脆材料固定在抛光机的夹具下端，硬脆材料的被抛光面与研磨盘表面形成摩擦副，摩擦副在不含磨料的液体介质下相互对磨，摩擦的同时对摩擦副施加外电场...

微型多维力／力矩传感器微加工方法，它涉及一种在传感器弹性体上直接加工应变片的方法。本发明为了提高传感器的精度，提供一种微型多维力／力矩传感器微加工方法，它是这样实现的：对传感器基体表面进行抛光处理，然后在基体表面上溅射Ａｌ↓［２］Ｏ↓［...

桁架式可刚化充气展开的太阳电池阵，它涉及一种空间飞行器上使用的可展开的太阳电池阵。本发明解决了传统的展开式太阳电池阵采用机械式刚性结构，存在结构复杂、展开可靠性差、折叠效率低的问题及采用大面积的平面框架式展开结构存在结构刚度和基频随结构...

本发明提供的是一种二维并联驱动的硅片搬运机器人。它包括机体、导轨（２）、丝杠（３）、滚珠花键组合体、框架螺母（５）、套筒（６）、同步电机和同步轮Ⅰ（７）、同步电机和同步轮Ⅱ（８）、同步带结构Ⅰ（９）、摇臂Ⅰ（１０），轴Ⅰ（１２）、摇臂Ⅱ...

本发明提供的是一种用于ＭＥＭＳ高温压力传感器自动阳极键合的加热装置。它包括底板，在底板上安装有支架，在支架上安装有加热块，加热块的四周设置有散热片，加热块上开有加热棒和温度传感器安装圆孔，加热棒和温度传感器安装在加热块中，在加热块的一侧...

本发明提供的是一种ＭＥＭＳ高温压力传感器自动键合方法。它选择由台面、设置在台面上的物流台、操作手、加热炉和显微镜组成的自动键合机进行自动键合；自动键合机的操作手安装在由４个轴控制的４自由度操作手工作台上，加热炉安装在由２个轴控制的２自由...

磁场辅助的自辉光等离子体离子注入装置，涉及一种离子注入装置。传统的高压脉冲自激发产生等离子体方式中存在注入效应小、有延时的问题。磁场辅助的自辉光等离子体离子注入装置，它包括真空室（１），在真空室（１）内放置待加工工件（３），待加工工件（...

基于谐波共振方法的并行激光直接写入方法与装置属于激光直接写入方法与设备；本方法将汇合于二向分色镜的写入激光与检焦激光共同进入投影滤波系统、谐衍射物镜阵列，在基片表面分别形成曝光点组合点阵和检焦点点阵；曝光点组合点阵与载有基片的工作台联动...

Ｓｉ基生长混合同素异型结构ＶＯ↓［２］薄膜的工艺，它涉及一种生长ＶＯ↓［２］薄膜的工艺。它解决了目前工艺在Ｓｉ基生长的ＶＯ↓［２］薄膜具有ＶＯ↓［２］（Ａ）和／或ＶＯ↓［２］（Ｒ），热电阻温度系数低，严重影响了室温红外探测器的探测灵敏度...

掺磷非晶金刚石薄膜电极及其制备方法，它涉及一种非晶金刚石薄膜电极及其制备方法。它为了解决非晶金刚石薄膜导电性能差，内应力大，与基底粘结力差的问题。通过以下步骤实现：（一）基底清洗；（二）离子刻蚀；（三）通掺杂气体；（四）利用过滤阴极真空...

脉冲激光沉积Ｓｉ基ＶＯ↓［２］薄膜取向生长的方法，它涉及一种薄膜取向生长的方法。它解决了目前生长ＶＯ↓［２］薄膜的方法中无法取向生长，且结构疏松，纯度低的问题，脉冲激光沉积Ｓｉ基ＶＯ↓［２］薄膜取向生长方法的步骤如下：ａ．清洗Ｓｉ衬底、...

以掺硼非晶金刚石薄膜为窗口层的ａ－Ｓｉ∶Ｈ太阳电池及其制备方法，它涉及一种非晶硅太阳电池及其制备方法。它解决了现有ｐ型非晶硅层太阳电池转化效率较低的问题。它的康宁玻璃（１）的上端面与ＳｎＯ↓［２］∶Ｆ导电薄膜（２）的下端面固定连接，Ｓｎ...

本发明提供的是基于变倍显微镜定位的ＭＥＭＳ自动引线键合设备，它包括底座。在底座上设置有Ｘ轴工作台、Ｙ轴工作台和显微镜，在工作台的上方设置有键合头，在底座上还设置有可升降支架，显微镜安装在可升降支架上并且在显微镜上设置有Ｚ轴步进电机，显微...