本发明涉及一种用于标定多晶材料的晶体学取向的方法，所述方法包括：接收(21)多晶材料的一系列图像，这些图像在不同的照射几何下通过获取装置来获取，不同的照射几何比如所述材料的不同倾斜角度，获取装置比如扫描电子显微镜或者聚焦离子束；根据系列...

本发明涉及复合材料(13)，其特征在于，所述复合材料(13)包含：至少一种弛豫铁电体有机聚合物，和至少一种基于邻苯二甲酸酯的增塑材料。

本发明涉及通过基材(7)的电化学蚀刻来制造基于硅的纳米颗粒的方法，特征在于所述基材由冶金级硅或精炼冶金级硅制成，所述基材具有大于0.01%的杂质含量。