本实用新型提供了一种薄膜体声波谐振器，该薄膜体声波谐振器从下至上依次包括：基底，所述基底上形成有第一凹槽；阻挡层，所述阻挡层形成在所述基底上并与所述第一凹槽构成第二空间；下电极，所述下电极呈碗状结构，所述碗状结构以开口朝上的方式形成在所...

本发明提供了一种薄膜体声波谐振器结构的制造方法，包括：提供晶圆衬底；在晶圆衬底上形成布拉格反射层；在布拉格反射层上依次形成下电极层、压电层以及上电极层三层薄膜以在晶圆衬底上形成多个薄膜体声波谐振器单元，其中，所述下电极层、所述压电层、所...

本发明提供了一种薄膜体声波谐振器的制造方法，该制造方法包括：刻蚀基底形成第一凹槽并在该第一凹槽内填充牺牲层；在所述基底和所述牺牲层上形成阻挡层；在所述阻挡层上形成第一支撑层，并刻蚀所述第一支撑层直至暴露所述阻挡层以在所述牺牲层上方形成第...

本发明提供了一种体声波谐振器纵波模式下材料参数的提取方法，该提取方法包括：构建体声波谐振器的Mason模型；对Mason模型进行简化处理以得到体声波谐振器的SIR模型，SIR模型的谐振频率仅与体声波谐振器的材料参数和结构参数有关、且SI...

本发明提供了一种体声波谐振器纵波模式下材料参数的提取方法，该提取方法包括：构建体声波谐振器的Mason模型；对Mason模型进行简化处理以得到体声波谐振器的SIR模型，SIR模型的谐振频率仅与体声波谐振器的材料参数和结构参数有关、且SI...

本发明提供了一种封装器件的制造方法，该制造方法包括：提供待封装器件芯片，该待封装器件芯片包括基底、功位于该基底上的功能区、以及位于该基底上且环绕该功能区设置的金属接触点和密封环；在功能区的上方沉积形成覆盖功能区的填充层；在待封装器件芯片...

本实用新型提供了一种薄膜体声波谐振器结构，该薄膜体声波谐振器结构包括晶圆衬底以及位于该晶圆衬底上的多个叠层结构，该多个叠层结构与所述晶圆衬底形成多个薄膜体声波谐振器单元，每一叠层结构从下至上均依次包括布拉格反射层、下电极层、压电层以及上...

本发明提供了一种压电声波谐振器，其有效工作区的形状是多边形，该有效工作区中的第一边和第二边分别对应于压电声波谐振器的输入边和输出边，有效工作区的外框定义为可以包围有效工作区、且存在一条边与第一边或第二边重合的面积最小的矩形；外框中与第一...

本发明提供了一种压电声波器件的封装方法，该封装方法包括：提供裸芯片，该裸芯片的表面设置有多个金属端口，该多个金属端口分布在裸芯片的有效活动区的外侧；在裸芯片的表面上形成环绕有效活动区的密封墙；在裸芯片的多个金属端口上形成导电凸起块；提供...

本发明提供了一种体声波谐振器与电容器的单片集成结构，包括：衬底；下电极，该下电极设置在所述衬底上且与所述衬底之间形成空腔；压电层，该压电层设置在所述下电极上；上电极，该上电极设置在所述压电层上；第一电极，该第一电极设置在所述衬底内位于所...