本发明公开一种一体式光通信接线端子及其制备方法，属于光通信设备技术领域。端子包括高纯度氧化铝陶瓷基体纯度≥99.5%，添加0.5%‑2%助熔剂）、无氧铜导针及8‑12微米镍镀层。制备方法：将氧化铝粉末冷等静压成型，经1600℃‑1900...

本发明公开一种用于IGBT模块的陶瓷线路板生产方法，属于电子元件制造技术领域。该方法包括：选用纯度≥99.6%氧化铝粉末添加0.5%‑2%助熔剂，经冷等静压成型、1600‑1900℃氮气烧结后加工；无氧铜箔计算膨胀率后切割，经超声清洗、...

本发明公开一种用于光通信模块的导电结构及其制备方法，属于光通信技术领域。导电结构包括高纯度氧化铝陶瓷基底、无氧铜金属导电层及8‑12微米镍镀层。制备方法：氧化铝粉末经冷等静压成型、1600‑1900℃氮气烧结后加工；无氧铜材经超声清洗、...

本发明公开一种高压直流陶瓷继电器及其制备方法，属于继电器技术领域。继电器包括氧化铝陶瓷外壳、银钨合金动静触头、铁镍合金驱动组件及镀锡/镀镍连接组件。陶瓷外壳经150‑250MPa冷等静压成型、1600‑1900℃氮气烧结后，通过活化处理...

本发明公开了一种金属制备半导体热感发电芯片的方法，涉及半导体热感发电芯片制备技术领域，旨在解决铜与碲化铋连接中高温损伤基材、焊料适配差、热应力开裂等问题。该方法包括五步核心流程：构建含碲改性低熔点焊料及适配辅助材料的体系；对铜、碲化铋基...