一种功率ＭＯＳＦＥＴ（１０），它包含其中具有漂移区的半导体衬底（１０２）以及延伸在漂移区和半导体衬底第一表面（１０２ａ）之间的过渡区（１３０）。过渡区（１３０）中具有垂直退减的掺杂分布，其峰值在相对于第一表面（１０２ａ）的第一深度处。而...

垂直ＭＯＳＦＥＴ包括一个半导体衬底，其中有一些半导体台面，它们被许多深条形沟槽分开。这些条形沟槽沿纵向沿第一方向平行伸过衬底。在这些深条形沟槽内形成一些埋入式绝缘源电极。还提供一些绝缘栅电极，它们平行伸过那些半导体台面并伸入在这些埋入式...