股份公司太成环境研究所专利技术

股份公司太成环境研究所共有1项专利

  • 一种具有3.5F2结构的布局的DRAM元件,包括:基板;多个位线,位于基板上,隔着规定的间隔在第一水平方向上彼此平行配置;多个字线,位于位线上,隔着规定的间隔在与第一水平方向实质垂直的第二水平方向上彼此平行配置;多个沟道图案,以蜂窝结构...
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