本实用新型公开了一种沟槽型IGBT器件，包括集电区，所述集电区上依次设有第一低寿命高复合层、缓冲区、第二低寿命高复合层及漂移区，所述漂移区内设有第一沟槽、第二沟槽以及位于第一沟槽与第二沟槽之间的中间阱区，所述中间阱区在上表面处设有凹槽；...

本实用新型公开了一种基于场效应管的LED驱动电路，包括整流电路、保险丝、场效应管、分压电路、电感、第一电阻、二极管及第一电容；整流电路的输出端与保险丝的一端连接，保险丝的另一端分别与场效应管的栅极及分压电路的第一连接端连接，场效应管的漏...

本实用新型公开了一种使用IGBT晶体管驱动马达的电路，包括桥式整流电路、滤波电路、光耦隔离电路、第一IGBT晶体管、第二IGBT晶体管、第三IGBT晶体管、第四IGBT晶体管、第五IGBT晶体管及第六IGBT晶体管。本实用新型的一种使用...

本实用新型公开了一种基于场效应管的电源适配器电路，包括EMI滤波器、整流电路、开关电源控制芯片、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、发光二极管、第一电容、第二电容、光电三极管、场效应管及线圈。本实用新型采用开关电源控制芯片...

本实用新型公开了一种沟槽式场效应管，包括P型注入区以及覆盖其上表面的N型外延层，所述N型外延层设有多个P型阱和沟槽，每个P型阱的顶部设有N型有源区，所述P型阱及N型有源区均与沟槽相邻，所述沟槽包括多晶硅栅和栅氧化层，所述多晶硅栅与栅氧化...

本实用新型公开了一种用于静电保护的绝缘栅型场效应管，包括衬底，衬底的背面覆盖有注入层，衬底的表面覆盖有外延层，所述外延层上形成有多个阱区，相邻两个阱区之间设有沟槽，沟槽内填充有多晶硅形成多晶硅栅，多晶硅栅上覆盖有层间氧化介质，各所述阱区...

本实用新型公开了一种带静电保护的沟槽型绝缘栅场效应管，包括衬底和电阻，衬底的背面覆盖有注入层，衬底的表面覆盖有外延层，所述外延层上形成有多个阱区，相邻两个阱区阱区之间设有沟槽，沟槽内填充有多晶硅形成多晶硅栅，所述的多个第一导电类型接触区...

本实用新型公开了一种IGBT器件，包括集电区，所述集电区上依次设有第一低寿命高复合层、缓冲层、第二低寿命高复合层及漂移区，所述漂移区上依次设有第一栅介质层、栅区及第二栅介质层，所述漂移区内设有阱区，所述阱区内设有源区及掺杂区；所述源区分...

本实用新型公开了一种大电流场效应管，包括热沉、绝缘外壳、场效应管芯片、漏极引脚、栅极引脚及源极引脚；热沉嵌在绝缘外壳的外表面上并与绝缘外壳构成一密闭的封装腔体，热沉与漏极引脚连为一体，漏极引脚的根部、栅极引脚的根部及源极引脚的根部固定在...

本实用新型公开了一种集成热敏电阻的场效应管，包括热沉、绝缘外壳、场效应管芯片、漏极引脚、栅极引脚、源极引脚及热敏电阻；热沉嵌在绝缘外壳的外表面上并与绝缘外壳构成密闭的封装腔体，热沉与漏极引脚连为一体，漏极引脚的根部及源极引脚的根部固定在...