本发明涉及液晶显示装置及其制造方法。采用半色调图像曝光技术，在１次的照相蚀刻工序上，形成沟道蚀刻型的绝缘栅极型薄膜晶体管的半导体层以及源极／漏极布线，以往删减制造工序数的制造方法，不但会逐渐缩小制造上的余裕（Ｍａｒｇｉｎ），源极／漏极布...

一种液晶显示装置及其制造方法，采用半色调图像曝光技术的１次照相蚀刻工序，形成沟道蚀刻型的绝缘栅极型晶体管半导体层与源极／漏极配线，将以往制造工序数删减的以往的制造方法中，会使制造容许值（余量）变小，源极／漏极配线之间的距离变短，成品率也...

液晶显示装置及其制造方法，采用半色调图像曝光技术，在１次的照相蚀刻工程上，形成信道蚀刻型的绝缘栅极型晶体管的半导体层以及源极／漏极配线，以往的制造方法企图删减制造工程数，结果，不但逐渐缩小制造上的容许度，源极／漏极配线间的距离也变短，最...