本发明提供了一种制备多层结构氧化镓晶圆的装置及其方法，结构包括一种制备多层结构氧化镓晶圆的装置，包括多个并排设置的MOCVD沉积单元、传送结构和陶瓷沉积座结构，其中，MOCVD沉积单元包括外壳、金属源进气口、氧源进气口和加热器，外壳下端...

本发明公开了一种倒立式大尺寸氧化镓MOCVD反应器和使用方法，反应器包括反应器外壳，反应器外壳内设置有反应腔，其中：反应器外壳底部设置有进气管，反应器外壳顶部设置有出气管，进气管和出气管均与反应腔连通，反应腔内安装有旋转匀气装置和倒立生...

本发明公开了一种具有防氧化、耐高温加热器的MOCVD反应装置，生长盘下部设置有气路阻挡罩，气路阻挡罩包括上罩体、下罩体以及保护气路，上罩体和下罩体合围形成一个上部具有环形通气口的腔体，保护气路一端与腔体连通，另一端伸出反应器外壳外，与屏...