本发明专利技术公开了一种具有防氧化、耐高温加热器的MOCVD反应装置，生长盘下部设置有气路阻挡罩，气路阻挡罩包括上罩体、下罩体以及保护气路，上罩体和下罩体合围形成一个上部具有环形通气口的腔体，保护气路一端与腔体连通，另一端伸出反应器外壳外，与屏蔽气气源连接，环形通气口位于生长盘下方，环形通气口吹出的屏蔽气形成气墙，生长盘、上罩体以及气墙形成一能阻隔含氧反应气体进入的密封空间，加热器位于该密封空间中。本发明专利技术能有效防止加热器被含氧反应气体腐蚀，提高设备的使用寿命。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及化学气相沉积的，尤其涉及一种具有防氧化、耐高温加热器的mocvd反应装置。
技术介绍
1、目前制备氧化物薄膜的方法主要包括金属有机物化学气相沉积（mocvd），磁控溅射法、真空蒸发沉积法，溶胶-凝胶法和喷雾热解法等。相对于其他薄膜材料的生长方式而言，用mocvd生长可以得到结晶性能优良，实现大容量、大尺寸、均匀的氧化物薄膜生长，对其他元素的均匀掺杂控制更方便，可以生长出复杂组分的精细结构。同时，也有较广的成膜温度和薄膜沉积速率的生长范围，具有薄膜表面平滑、成膜均匀性好等特点。
2、mocvd反应装置是一种用于金属有机物化学气相沉积的设备，mocvd反应装置中有用于保持反应腔处于高温横温状态的加热装置以及用于在衬底表面形成沉积层的反应气体。然而在实际使用中发现，随着mocvd反应装置的使用，反应气体中的氧气会与加热装置接触，锈蚀加热装置，因此，需要对mocvd反应装置进行设计，保证加热装置不会与反应气体接触。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足，提供一种具有防氧化、耐高温加热器的mocvd反应装置。
2、为实现上述技术目的，本专利技术采取的技术方案为：
3、一种具有防氧化、耐高温加热器的mocvd反应装置，包括反应器外壳，反应器外壳内设置有反应腔，反应腔上端设置有进气口，下端设置有出气口，反应腔内安装有用于放置待生长衬底的生长盘，生长盘的底部设置加热器，加热器用于加热生长盘及生长盘附近空间，进气口向反应腔吹入含氧反应气体，含氧反应气体能在待生长衬底表面沉积，形成沉积层，含氧反应气体能从出气口吹出反应腔，其中：生长盘下部设置有气路阻挡罩，气路阻挡罩包括上罩体、下罩体以及保护气路，上罩体和下罩体合围形成一个上部具有环形通气口的腔体，保护气路一端与腔体连通，另一端伸出反应器外壳外，与屏蔽气气源连接，环形通气口位于生长盘下方，环形通气口吹出的屏蔽气形成气墙，生长盘、上罩体以及气墙形成一能阻隔含氧反应气体进入的密封空间，加热器位于该密封空间中。
4、为优化上述技术方案，采取的具体措施还包括：
5、上述的上罩体包括第一底盘和第一衬边，第一底盘水平设置，第一衬边环绕固定在第一底盘外围，第一衬边外端向上翘起，下罩体包括第二底盘和第二衬边，第二底盘水平设置，第二衬边环绕固定在第二底盘外围，第二衬边外端向上翘起，第二衬边位于第一衬边外侧，第一衬边和第二衬边之间具有间隙，该间隙即为环形通气口。
6、上述的第一衬边和第二衬边平行设置。
7、上述的上罩体和下罩体之间通过连接块固定连接。
8、上述的第一底盘和第二底盘之间设置有分气盘，分气盘与第一底盘和/或第二底盘固定配合，分气盘与第一底盘下表面之间具有间隙，分气盘与第二底盘之间具有间隙，保护气路一端开口于与第二底盘上表面，分气盘上设置有若干个分气孔，分气孔上下贯穿分气盘，且分气孔上开口倾斜指向环形通气口。
9、上述的反应器外壳内还设置有隔热罩，隔热罩呈环形设置在生长盘和气路阻挡罩外侧，进气口处固定安装有网罩，网罩用于防止杂物从进气口落入反应腔。
10、上述的隔热罩与反应器外壳内侧面固定连接。
11、上述的生长盘为石墨材料制作。
12、上述的加热器为若干层钨铼合金加热片组成，各层钨铼合金加热片处于同一水平面。
13、上述的屏蔽气为氮气。
14、本专利技术具有以下优点：
15、本专利技术在长盘下部设置有气路阻挡罩，气路阻挡罩连接了屏蔽气气源，气路阻挡罩上部还设置了环形通气口，气路阻挡罩的环形通气口吹出的屏蔽气形成气墙，阻隔含氧反应气体与加热器接触，进而防止加热器被含氧反应气体腐蚀，有效提高设备的使用寿命。
16、本专利技术气路阻挡罩可以直接在传统的mocvd反应装置上进行加装，实现防止加热器被含氧反应气体腐蚀的功能，非常适合用于传统的mocvd反应装置的升级。
17、本专利技术采用钨铼合金作为加热片，钨铼合金相比于铁铝合金加热片，能耐1200℃以上的高温(铝合金加热片的工作温度为500-700℃)，因此，钨铼合金加热片具有耐高温的性能，可以使mocvd反应装置在更高的温度下工作，而钨铼合金遇氧会被催化，因此需要气路阻挡罩进行氧气阻隔。
本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种具有防氧化、耐高温加热器的MOCVD反应装置，包括反应器外壳(1)，所述的反应器外壳(1)内设置有反应腔，所述的反应腔上端设置有进气口(11)，下端设置有出气口(12)，反应腔内安装有用于放置待生长衬底的生长盘(2)，所述的生长盘(2)的底部设置加热器(3)，所述的加热器(3)用于加热生长盘(2)及生长盘(2)附近空间，所述的进气口(11)向反应腔吹入含氧反应气体，所述的含氧反应气体能在待生长衬底表面沉积，形成沉积层，含氧反应气体能从出气口(12)吹出反应腔，其特征是：所述的生长盘(2)下部设置有气路阻挡罩(4)，所述的气路阻挡罩(4)包括上罩体(41)、下罩体(42)以及保护气路(43)，上罩体(41)和下罩体(42)合围形成一个上部具有环形通气口(44)的腔体(45)，所述的保护气路(43)一端与腔体(45)连通，另一端伸出反应器外壳(1)外，与屏蔽气气源连接，所述的环形通气口(44)位于生长盘(2)下方，所述的环形通气口(44)吹出的屏蔽气形成气墙，生长盘(2)、上罩体(41)以及气墙形成一能阻隔含氧反应气体进入的密封空间，加热器(3)位于该密封空间中。
>2.根据权利要求1所述的一种具有防氧化、耐高温加热器的MOCVD反应装置，其特征是：所述的上罩体(41)包括第一底盘(41a)和第一衬边(41b)，所述的第一底盘(41a)水平设置，所述的第一衬边(41b)环绕固定在第一底盘(41a)外围，第一衬边(41b)外端向上翘起，所述的下罩体(42)包括第二底盘(42a)和第二衬边(42b)，所述的第二底盘(42a)水平设置，所述的第二衬边(42b)环绕固定在第二底盘(42a)外围，第二衬边(42b)外端向上翘起，所述的第二衬边(42b)位于第一衬边(41b)外侧，所述的第一衬边(41b)和第二衬边(42b)之间具有间隙，该间隙即为环形通气口(44)。3.根据权利要求2所述的一种具有防氧化、耐高温加热器的MOCVD反应装置，其特征是：所述的第一衬边(41b)和第二衬边(42b)平行设置。
4.根据权利要求3所述的一种具有防氧化、耐高温加热器的MOCVD反应装置，其特征是：所述的上罩体(41)和下罩体(42)之间通过连接块(46)固定连接。
5.根据权利要求4所述的一种具有防氧化、耐高温加热器的MOCVD反应装置，其特征是：所述的第一底盘(41a)和第二底盘(42a)之间设置有分气盘(47)，所述的分气盘(47)与第一底盘(41a)和/或第二底盘(42a)固定配合，所述的分气盘(47)与第一底盘(41a)下表面之间具有间隙，分气盘(47)与第二底盘(42a)之间具有间隙，保护气路(43)一端开口于与第二底盘(42a)上表面，所述的分气盘(47)上设置有若干个分气孔，所述的分气孔上下贯穿分气盘(47)，且分气孔上开口倾斜指向环形通气口(44)。
6.根据权利要求5所述的一种具有防氧化、耐高温加热器的MOCVD反应装置，其特征是：所述的反应器外壳(1)内还设置有隔热罩(5)，所述的隔热罩(5)呈环形设置在生长盘(2)和气路阻挡罩(4)外侧，所述的进气口(11)处固定安装有网罩(6)，所述的网罩(6)用于防止杂物从进气口(11)落入反应腔。
7.根据权利要求6所述的一种具有防氧化、耐高温加热器的MOCVD反应装置，其特征是：所述的隔热罩(5)与反应器外壳(1)内侧面固定连接。
8.根据权利要求1所述的一种具有防氧化、耐高温加热器的MOCVD反应装置，其特征是：所述的生长盘(2)为石墨材料制作。
9.根据权利要求1所述的一种具有防氧化、耐高温加热器的MOCVD反应装置，其特征是：所述的加热器(3)为若干层钨铼合金加热片组成，各层钨铼合金加热片处于同一水平面。
10.根据权利要求1所述的一种具有防氧化、耐高温加热器的MOCVD反应装置，其特征是：所述的屏蔽气为氮气。
...
【技术特征摘要】
1.一种具有防氧化、耐高温加热器的mocvd反应装置，包括反应器外壳(1)，所述的反应器外壳(1)内设置有反应腔，所述的反应腔上端设置有进气口(11)，下端设置有出气口(12)，反应腔内安装有用于放置待生长衬底的生长盘(2)，所述的生长盘(2)的底部设置加热器(3)，所述的加热器(3)用于加热生长盘(2)及生长盘(2)附近空间，所述的进气口(11)向反应腔吹入含氧反应气体，所述的含氧反应气体能在待生长衬底表面沉积，形成沉积层，含氧反应气体能从出气口(12)吹出反应腔，其特征是：所述的生长盘(2)下部设置有气路阻挡罩(4)，所述的气路阻挡罩(4)包括上罩体(41)、下罩体(42)以及保护气路(43)，上罩体(41)和下罩体(42)合围形成一个上部具有环形通气口(44)的腔体(45)，所述的保护气路(43)一端与腔体(45)连通，另一端伸出反应器外壳(1)外，与屏蔽气气源连接，所述的环形通气口(44)位于生长盘(2)下方，所述的环形通气口(44)吹出的屏蔽气形成气墙，生长盘(2)、上罩体(41)以及气墙形成一能阻隔含氧反应气体进入的密封空间，加热器(3)位于该密封空间中。
2.根据权利要求1所述的一种具有防氧化、耐高温加热器的mocvd反应装置，其特征是：所述的上罩体(41)包括第一底盘(41a)和第一衬边(41b)，所述的第一底盘(41a)水平设置，所述的第一衬边(41b)环绕固定在第一底盘(41a)外围，第一衬边(41b)外端向上翘起，所述的下罩体(42)包括第二底盘(42a)和第二衬边(42b)，所述的第二底盘(42a)水平设置，所述的第二衬边(42b)环绕固定在第二底盘(42a)外围，第二衬边(42b)外端向上翘起，所述的第二衬边(42b)位于第一衬边(41b)外侧，所述的第一衬边(41b)和第二衬边(42b)之间具有间隙，该间隙即为环形通气口(44)。
3.根据权利要求2所述的一种具有防氧化、耐高温加热器的...
【专利技术属性】
技术研发人员：李健，曲恒绪，梁静，周政，张露，胡金勇，
申请(专利权)人：广东伟智创科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。