本技术公开了一种用于物理气相沉积的零件镀膜夹具，包括真空室放置台和安装板，所述真空室放置台上对称固接有两个固定杆，且安装板上开设有与固定杆对应的固定槽，且固定杆的两端分别开设有卡接槽，所述固定槽的内壁上设置有与卡接槽对应的卡接机构，所述...

本技术公布了一种芯片散热封装结构，包括封装基板、半导体集成电路芯片、封装防护罩，所述半导体集成电路芯片、封装防护罩均安装在封装基板顶部，所述半导体集成电路芯片设置在封装防护罩内部，本技术的有益效果是，本装置在工作的过程中，通过设置的封装...

本发明公开了一种环抱式加热装置，包括同轴套设在管体外围的加热套筒，还包括若干个沿管体轴向依次排布且同轴固定环抱于加热套筒上的支撑环、以及用于驱使加热套筒相对于管体作轴向移动的驱动构件，其中，各个所述支撑环随加热套筒同轴移动，并且所述加热...

本实用新型公布了一种用于半导体生产的气相沉积炉，包括外沉积炉，所述外沉积炉的内壁固定连接有环形间隔板，所述外沉积炉通过环形间隔板分为冷却腔与加热腔，所述冷却腔内壁固定连接有多个导流板，所述外沉积炉的内部嵌入连接有内金属沉积炉，所述内金属...

本实用新型公布了一种芯片用晶圆片金属溅镀设备，包括外壳体与主体，且主体位于外壳体内部，所述外壳体内壁四角的位置均转动连接有丝杆，所述丝杆的一端固定套接有第二齿轮，所述外壳体的内壁固定安装有电机，所述电机的输出轴固定连接有第一齿轮，四个第...

本实用新型公布了一种用于半导体器件的自动化封装装置，包括底座与封装座，且封装座位于底座正上方，所述底座的一侧固定连接有支撑架，所述支撑架内侧顶部的位置固定安装有激光雕刻头，所述支撑架的内壁固定连接有净气桶，本实用新型的有益效果是，本装置...

本发明提供了一种提升干泵机组抽气能力的方法，干泵机组包括前级泵和后级泵；根据前级泵的转子间以及转子与泵腔之间的缝隙尺寸，得到转子横向热膨胀允许范围；在转子横向热膨胀允许范围选取转子热膨胀量，并将转子热膨胀量对应的温度值设定为工作温度设定...

本发明涉及干泵技术领域，具体提供了一种用于干泵的冷却水及氮气协同调流方法，在干泵参与产品加工过程中，采用冷却水在干泵泵体内流动以对干泵进行降温；若干泵处于冷凝状态，则减少冷却水流量同时向干泵泵腔内吹扫热氮气使干泵泵腔内部温度提升；若干泵...

本发明公布了一种化学气相沉积设备的基座沉积物清洁方法，该方法需要使用以下装置：基座本体、底座、顶座、转盘、电机、刷头、移动装置和供液装置，本发明的有益效果是，基座本体可拆卸式连接在沉积箱的底部，在清洁时可以将基座本体拆下，清洁时无需受到...

本发明公布了一种耐火金属沉积工艺，该工艺包括以下步骤：S1工件处理，对工件的表面进行清理，并将工件悬挂在反应筒中；S2镀液配置，镀液置于反应筒中，反应筒置于水浴加热装置中；S3金属沉积，启动水浴加热装置，通过加液装置不断向镀液中添加还原...

本发明公开了一种具有环形特斯拉阀通道的传动轴套，包括芯轴和同轴旋转套设于芯轴外围的壳体，其中，所述芯轴外周面成型有若干个沿轴向依次布置的第一导流环，并且各个所述第一导流环与芯轴外周面之间均形成朝同向弯曲的第一半环流路；所述壳体内周面成型...

本发明公开了一种金属化学气相沉积装置，涉及化学气相沉积技术领域，包括化学气相沉积装置本体、控制台、底台、反应炉和支撑台，所述化学气相沉积装置本体的一侧固定安装有控制台，所述控制台的底部固定安装有底台，所述控制台的侧面固定连接有反应炉。本...

本发明公布了一种用于全晶圆沉积的工艺和设备，设备包括包括结晶炉、切片机、抛光机、氧化炉、化学气相沉积机、涂胶机、曝光机、显影机、光刻机、蚀刻机和离子注入机；工艺包括以下步骤：晶圆成形、衬底成形、图形光刻、蚀刻、掺杂和成品处理，本发明公开...

本发明公布了一种应用于气相沉积的气体清洗设备，包括安装罩、电机、中转箱、清洗装置和雾化供液装置，清洗装置包括空心管和清洗罩，清洗罩内固接有端面板，端面板的中心固接有喷嘴，端面板的外壁还固接有清洗海绵刷，雾化供液装置包括储液箱和鼓风机，本...

一种提高晶圆处理设备处理效率和产品一致性的控制方法，包括以下步骤：步骤S1：使用自适应控制算法构建出控制模型；步骤S2：获取待处理晶圆的尺寸参数以及生产设备的生产参数；步骤S3：输入本次生产的产品参数，将所述产品参数与尺寸参数输入至控制...

本发明公开了一种超声波辅助的激光解键合方法及装置，涉及半导体制造领域。激光解键合方法包括：对待解键合件的键合层进行激光解键合；其中，探测激光解键合产生的超声波信号，对待解键合件施加与超声波信号同频的超声波，使待解键合件发生共振。本发明对...

本实用新型涉及气相沉积设备技术领域，尤其涉及一种旋转式气相沉积炉用冷却机构。其技术方案包括：水箱、冷却罐和沉积炉本体，还包括用于封闭冷却罐两端的两个密封盖，所述冷却罐的两端开设有一号孔，两个所述密封盖的表面开设有三号孔。本实用新型具有的...

本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种基于红外成像辅助的激光解键合方法。该方法包括加热临时键合体，获取加热过程中透明载片的第一红外图像的集合，识别出气泡和/或杂质点位；确定激光光束参数；激光光束扫描键合胶层和获取在冷却阶段透明载片的...

本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种基于红外成像辅助的激光解键合方法。该方法包括加热临时键合体，获取加热过程中透明载片的第一红外图像的集合，识别出气泡和/或杂质点位；确定激光光束参数；激光光束扫描键合胶层和获取在冷却阶段透明载片的...

本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种基于红外成像和可见光成像综合辅助的激光解键合方法。该方法包括识别键合胶层的气泡和/或杂质；获取半导体片的翘曲区域的信息；判断气泡和/或杂质是否位于翘曲区域内；激光光束参数的确定；激光光束扫描键合...