本发明公开一种基于活字磁针的流磁巨量转移补转移机构及补转移方法，包括活字磁针基板(1)，活字磁针基板(1)的上表面可拆卸连接有多个活字磁针(2)，活字磁针基板(1)正上方水平设置有待补转的玻璃基板(3)，且各活字磁针(2)的轴向与待补转...

本发明涉及巨量转移、芯片分选技术领域，具体公开了一种流磁自组装巨量转移装置，为解决传统巨量转移技术效率低、精度低、良率差、经济效益不高等问题，本装置通过创新性地设计三色芯片分选结构、利用流体动力学与磁场协同定位完成芯片自组装，完全避免了...

本发明公开了一种流磁巨量转移用像素浅坑玻璃基板及制造方法，属于微电子器件制造技术领域，基板包括A层玻璃基板和设置在所述A层玻璃基板上方的B层玻璃基板，方法包括制备A层玻璃基板和B层玻璃基板；A层玻璃基板通孔和MAC定位标记点一加工；制备...

本发明公开了一种用于巨量转移的磁力弹簧针，属于芯片巨量转移技术领域，包括磁针针杆，所述磁针针杆下端连接有连接头，连接头下端连接有定位套，所述定位套下端连接有连接件，所述连接件下端连接有磁针针尖，所述定位套内部设置有自上而下依次排列的第一...

本发明提供了一种低成本高精度阵列磁针及其制造方法，属于芯片巨量转移技术领域，包括永磁磁针载体，所述永磁磁针载体上开设有下部定位孔，所述下部定位孔内部设置有永磁磁针，所述永磁磁针载体上方设置有导磁磁针载体，所述导磁磁针载体上开设有上部定位...

本发明提供了一种基于方坑的三色LED芯片流磁巨量转移装置及方法，属于半导体巨量转移技术，包括下层转移基板，所述下层转移基板上方设置有上层转移基板，所述下层转移基板上开设有多组像素点方坑，所述上层转移基板上开设有多组上层基板转移方坑，所述...

本发明公开了一种大面积密集阵列磁针及其制造方法，属于芯片巨量转移技术领域，包括通过定位销依次连接的永磁体层、导磁体层、磁针针座层、磁针针尖层，所述永磁体层设置在最下方，所述磁针针座层上阵列式设置有若干磁针针座，所述磁针针尖层上阵列式设置...

本发明公开了一种Micro‑LED芯片流磁自组装方法及装置，属于半导体技术领域，步骤为：制造RGB三种不同形状尺寸的LED芯片；在芯片引脚层施加2‑5μm的铁氧体磁粉层，并对芯片进行充磁；在转移玻璃基板上开设凹槽，每个像素点对应RGB三...

本发明公开了一种导磁LED芯片及其制造工艺，属于LED芯片技术领域，包括芯片本体，还包括设置在所述芯片本体发光面或背光面上的导磁层；所述导磁层包括至少两层子导磁层，相邻所述子导磁层中的导磁材料颗粒粒径不同，其中靠近所述芯片本体的子导磁层...