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福建省金石能源股份有限公司专利技术
福建省金石能源股份有限公司共有36项专利
一种背接触太阳能电池IV测试装置制造方法及图纸
本技术公开了一种背接触太阳能电池IV测试装置,包括传送机构、可升降测试平台、IV测试灯源和背接触太阳能电池片,所述可升降测试平台通过安装在其下方的第一升降机构驱动,可升降测试平台内部为负压腔室,所述可升降测试平台内安装有测试探针装置,所...
一种背接触异质结太阳能电池温度系数的测试装置及方法制造方法及图纸
本发明公开了一种背接触异质结太阳能电池温度系数的测试装置及方法,该装置包括自适应电池电极接口模块、热耦合组件、动态压合装置及IV测试机,自适应电池电极接口模块通过焊带矩阵化布局引出电池电极,可自适应不同电极布局;热耦合组件由温控IV平台...
一种电池片输送升片机构制造技术
本发明涉及电池片上下料设备领域,公开了一种电池片输送升片机构,其包括支撑台、顶升件、输送线、升降机构和旋转机构。若干支撑台设置于输送线上。升降机构固设于输送线机架的两侧,旋转机构可转动地设置于升降机构上。若干顶升件设置于旋转机构上。其中...
一种联合钝化背接触电池制造技术
本技术公开了一种联合钝化背接触电池,包括硅片,依次设在硅片正面的第三半导体层和减反层,设在硅片背面的第二半导体开口区与第一半导体开口区和过渡区,所述第三半导体层由依次沉积硅片正面的第二本征非晶硅层、微晶硅层组成,所述第二半导体开口区由依...
一种低成本的背接触太阳能电池串制造技术
本技术公开了一种低成本的背接触太阳能电池串,包括若干电池片前驱体和金属复合膜,所述电池片前驱体上设置第一电极区域和第二电极区域,第一电极区域和第二电极区域表面设置透明导电膜层,透明导电膜层上开设有电极分隔槽分为第一、第二透明导电膜层,所...
一种光伏电池片的激光划线除尘装置制造方法及图纸
本技术公开了一种光伏电池片的激光划线除尘装置,包括激光场镜、光学玻璃、观察罩、外罩、风管、气流调节阀、侧风管、抽风口、观察窗,所述观察罩密封连接在外罩上方,光学玻璃设置于观察罩上,激光场镜设置于光学玻璃上,观察窗安装在观察罩两侧,所述风...
一种连续式感应耦合等离子辅助化学气相沉积镀膜产线制造技术
本发明公开了一种连续式感应耦合等离子辅助化学气相沉积镀膜产线,包括制程腔、预热腔、冷却腔、载板、ICP反应源及传输机构,ICP反应源的射频耦合线圈置于制程腔外,通过交变感应磁场激发反应气体放电生成等离子体,且配套独立冷却与绝缘结构;预热...
一种光伏墙体式组件制造技术
本技术公开了一种光伏墙体式组件,包括光伏组件和采用泡沫陶瓷材料做的光伏墙砖腔体,所述光伏组件从受光面到背面依次为透明的光伏前板、填充内腔的封装胶膜、光伏电池串,所述光伏组件嵌入光伏墙砖腔体内,所述光伏墙砖腔体表面对应光伏组件设置安装槽,...
一种背接触太阳能电池互连结构制造技术
本技术涉及太阳能电池领域,公开了一种背接触太阳能电池互连结构,其包括若干电池片以及将若干电池片连接成电池串的互连膜。互连膜由基体胶膜和互连条组成。互连条与电池片背面的电极图形相匹配。互连条一部分嵌入基体胶膜内,一部分凸出基体胶膜表面。互...
一种背接触太阳能电池片及其电池串制造技术
本技术涉及太阳能电池领域,公开了一种背接触太阳能电池片及其电池串。电池片的第一细栅和第二细栅的断开处为绝缘区域。绝缘区域上设置有绝缘层。绝缘层与第一细栅或者第二细栅断开端口设置有间隙。其中绝缘层的宽度D大于P区或N区的宽度,且完全覆盖住...
一种设置组合掩膜层的背接触太阳电池制造方法及其电池技术
本发明属于背接触太阳电池技术领域,具体涉及一种设置组合掩膜层的背接触太阳电池制造方法及其电池,包括:S2、在硅片背面依次形成隧穿氧化层、本征多晶硅层、第一氧化硅掩膜层、第二多晶硅掩膜层;S3、背面形成隧穿氧化层、N型多晶硅层、第一掺磷氧...
一种背接触电池的后制绒制作方法及其电池技术
本发明属于背接触电池技术领域,具体涉及一种背接触电池的后制绒制作方法及其电池,包括:S2、在硅片背面形成第一半导体层,同时自然形成磷硅玻璃层作为掩膜层;S3、背面形成第二半导体开口区;S4、采用激光刻划的方式,对硅片正面进行整面刻蚀,以...
一种远程与本位双源等离子体辅助化学气相沉积镀膜设备制造技术
本发明公开了一种远程与本位双源等离子体辅助化学气相沉积镀膜设备,通过整合远程等离子体源与本位等离子体源构成双源协同系统,搭配真空反应单元、独立气体供给单元、高精度加热控温单元及真空抽排单元,解决传统PECVD设备等离子体分布不均、高能离...
一种板式PECVD设备进气与射频系统技术方案
本发明涉及光伏设备领域,公开了一种板式PECVD设备进气与射频系统,设置于设备的腔盖上,其包括九个特气进气口、四个远程等离子体源进气口以及与特气入口在数量和空间分布上相协同的射频电源馈入系统、具备主动调节能力的多级分流气体管路系统。九个...
一种硅片花篮输送系统技术方案
本发明公开了一种硅片花篮输送系统包括上层输送单元、下层输送单元及电控系统;上层与下层输送单元上下对应布置,均支持单列与双列花篮的电控切换输送;上层输送单元包含用于接入缓存花篮的进花篮输送线、可左右移动对接的切换机构、能同步升降的提升机、...
用于背接触电池的溅射镀膜设备、背接触电池及制备方法技术
本发明涉及太阳能电池技术领域,具体涉及一种用于背接触电池的溅射镀膜设备、背接触电池及制备方法,该溅射镀膜设备包括沿载板传输方向依次设置的进片腔室、至少一个远程等离子体处理腔室、进片隔离腔室、进片缓冲腔室、至少一个镀膜腔室、出片缓冲腔室、...
一种真空镀膜工艺参数自适应调节方法及系统技术方案
本发明公开了一种真空镀膜工艺参数自适应调节方法及系统,包括数据采集层、DRL智能体和执行层,其中所述DRL智能体包含策略网络和评价网络,所述DRL智能体采用双循环学习机制,包括离线模仿学习模块和在线强化学习模块。本技术方案通过DRL解耦...
一种高效热交换卷绕镀膜冷辊及制造方法技术
本发明涉及镀膜设备领域,公开了一种高效热交换卷绕镀膜冷辊,其包括外套和芯轴。其中,外套套于芯轴上,并密封固定连接。外套的端面上设置有若干直线冷却水道;每条冷却水道的两端密封堵住。芯轴的外壁上设置有若干个汇水槽,汇水槽与外套的内壁形成一个...
一种低划伤背接触电池及其制备方法技术
本发明属于背接触电池技术领域,具体涉及一种低划伤背接触电池及其制备方法,包括如下步骤:S2、在硅片背面依次形成第一半导体层和掩膜层;S3、背面进行刻蚀开口,形成第二半导体开口区;S4、制绒清洗;S5、在硅片正面依次形成第三半导体层和牺牲...
一种大腔室PECVD的抽、破空结构制造技术
本技术涉及PECVD设备领域,公开了一种大腔室PECVD的抽、破空结构,抽、破空结构包括腔室主体,腔室主体底部中间设置有若干个主抽组件,腔室主体底部的前后两侧均设置有若干间隔分布的慢抽破空组件和腔底破空组件。慢抽破空组件包括第一通气管,...
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