本技术公开了一种电池片镀膜设备的退膜机构，包括退镀槽和载具，所述退镀槽分为载具流入段、退镀工艺段、载具流出段三部分，所述载具流入段、退镀工艺段、载具流出段槽体底部均设有动力装置，所述载具流入段和载具流出段内的动力装置通过传动同步轮组、同...

本技术公开了一种低热斑温度的背接触太阳能电池组件结构，其特征在于：包括无主栅或者主栅对称分布且数量为偶数的背接触太阳能电池，所述背接触太阳能电池沿着垂直细栅方向居中切割成两个半片电池，所述半片电池通过互连条沿着半片电池长边方向串焊成电池...

本技术涉及光伏设备领域，公开了一种可调节特气分流的PECVD腔体，其包括相互连接的上模腔和下模腔。上模腔内从上到下依次设置有电极柱、一体式分流器、调节组件、布气板。电极柱设置于上模腔的上端上，电极柱上设置有气体通道，布气板位于气体通道下...

本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种提高钝化性能的背接触电池制作方法及其背接触电池，包括：S2、在硅片背面沉积第一半导体层，磷硅玻璃层并保留作为第一掩膜层；S3、对硅片正面进行制绒清洗；并在制绒后的最后清洗过程中同时去除第一掩膜层...

本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种超薄平面背接触电池及其制备方法和电池组件，包括依次设置的晶体硅基板、非晶硅层，其中非晶硅层的远离晶体硅基板的一侧表面具有交替形成的N型掺杂区和P型掺杂区、以及在N型掺杂区和P型掺杂区之间设置的隔...

本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种降低N型区与P型区厚度差的背接触电池及制备和应用，包括晶体硅基板、在晶体硅基板背面依次设置的非晶硅层和导电膜层，其中非晶硅层的远离晶体硅基板的一侧表面具有交替形成的N型区与P型区，N型区包含N型...

本发明属于的背接触光伏电池技术领域，具体涉及一种具有高浓度共掺杂区的背接触光伏电池及制法和应用，包括在本征非晶硅层的背光面设置交替分布的N型掺杂区、P型掺杂区，且在N型掺杂区、P型掺杂区之间设置高浓度共掺杂区，该共掺杂区的掺杂源包含N型...

本发明涉及保护油墨领域，公开了一种可修复的保护油墨和隔离层、及其制造方法和修复方法。保护油墨具有可修复性，其包括质量分数为20％～35％的丙烯酸酯类单体、质量分数为20%~30%的异氰酸酯类单体、质量分数为5%~25%的二元醇、质量分数...

本技术涉及太阳能电池检测领域，公开了一种光伏电池片的测试装置，包括：导电部、固定件和固定部。导电部包括若干个相间交替分布排列的测试N极排单元和测试P极排单元。测试N极排单元和测试P极排单元均包括槽板、导电珠、导电片和缓冲垫。导电珠设置于...

本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种具有间断超细连接线的背接触电池和背接触电池模组。本发明每根第一超细连接线和每根第二超细连接线均在Y轴方向上间断，且均包括位于Y轴方向两端的第一连接部和第二连接部，以及位于第一连接部和第二连接部之...

本技术涉及光伏领域，公开了一种背接触电池串及其串焊设备、光伏组件。其中，背接触电池串，包括若干电池片、焊条和皮肤膜。皮肤膜上包括交替间隔分布的密闭区和开孔区。皮肤膜与焊条所贴合的区域为密闭区。其中光伏组件包括上述背接触电池串。其中串焊设...

本发明公开了一种龙门纠偏视觉引导定位方法、装置及存储介质，包括：步骤1：龙门纠偏机构反示教，包括：获取龙门纠偏机构上吸盘吸持硅片的标准位置，通过取料反过程获取龙门纠偏机构对不同踏步带的取料坐标，同时通过相机分别拍摄龙门纠偏轴执行多组平移...

本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种高精度掩膜对位的背接触电池制备方法及其电池，包括：S103、对硅片背面进行抛光或二次制绒处理；S104、在硅片背面沉积本征非晶硅层；S105、采用硬质掩膜板先与硅片背面的预设第一半导体区对位，形...

本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种高双面率背接触电池及制备方法和应用，包括：S101、对硅片双面进行一次制绒，之后清洗，一次制绒后的绒面金字塔高度记为T1；S102、在硅片背面依次形成第一半导体层和掩膜层；S103、形成间隔排布...

本发明公开了一种背接触异质结太阳电池的制作方法，包括通过掩膜曝光、显影、电镀、退膜、蚀刻的方式在聚合物薄膜上制作主栅电极与细栅电极；将制作有主栅电极和细栅电极的聚合物薄膜与半成品电池对位结合，形成背接触异质结太阳电池；其中，所述主栅电极...

本技术公开了一种太阳能电池片栅线掩膜工装，其特征在于：包括镀膜底板，镀膜压框，压条，掩膜长条，所述镀膜底板对应电池片大小设置电池片放置台，所述电池片放置台侧边设有电池片定位卡条，所述镀膜压框中间镂空与电池片放置台相适配，所述镀膜压框通过...