本发明公开了一种LED芯片及其提亮方法，包括以下步骤：S1：在外延层上刻蚀MESA结构，使N‑GaN层外露，并形成正负极；S2：对LED芯片边缘的N‑GaN进行刻蚀，直至蓝宝石衬底表面形成隔离层；S3：在外延层上溅射ITO层，并使ITO...

本发明公开了一种高色域全彩色Micro LED的像素模组及模组矩阵，将像素中的蓝色区域放在像素模组的一角，第一颜色和第二颜色区域以像素模组外框对角线为轴对称设置，从而最大化第一颜色和第二颜色的面积；并且在有限范围内充分利用不透光层，消除...

本发明涉及GaN基发光二极管技术领域，特别涉及一种提升GaN基光效的外延结构及其生长方法。该生长方法，包括生长多量子阱有源区层的步骤，生长多量子阱有源区层包括以下步骤：依次生长缺陷诱导层、电流扩展层和多量子阱发光层，所述多量子阱发光层中...