本发明本发明属基因工程技术领域，具体为一种受烯丙异噻唑化合物诱导的启动子及其应用。本发明包括一种分离和利用核酸的启动子片段，该启动子来源于拟南芥对ＰＢＺ及其相关化合物敏感的一个基因，ＡｔＮＰＲ１。将编码所希望的目的产物基因的核酸序列和一...

本发明属基因工程技术领域，具体为一种受高温胁迫诱导的启动子及其应用。本发明包括一种分离和利用核酸的启动子片段，该启动子来源于拟南芥对高温敏感的一个基因，ＡｔＨＳＰ７０ｂ。将编码所希望的目的产物基因的核酸序列和一个上述启动子片段融合得到重...

本发明是属于生物检测技术领域，具体为一种通过对微生物的定量ＰＣＲ分析评价土壤健康的方法。本发明包括以下步骤：根据评价土壤健康的微生物参数合成合适的定量ＰＣＲ的引物；构建各种参数的标准品质粒并建立标准曲线；提取样品ＤＮＡ并通过定量ＰＣＲ，...

本发明属于植物基因工程技术领域，具体涉及一种棉花衰老相关转录因子及其编码基因与应用。本发明提供的棉花衰老相关的转录因子，来源于陆地棉，名称为ＧｈＮＡＣ７，其氨基酸序列如ＳＥＱＩＤＮＯ．２所示。棉花衰老相关转录因子的编码基因，其核苷酸序列...

本发明属于生物工程检测技术领域，具体为一种结核分枝杆菌复合群的荧光定量ＲＴ－ＰＣＲ检测方法。本发明包括如下步骤：结核分枝杆菌复合群特异性定量ＲＴ－ＰＣＲ引物和探针设计；标准分子的构建；细菌样本ＲＮＡ与ＤＮＡ的共同提取；对同一份样本分别进...

本发明属于农业和照明技术领域，具体涉及一种用于植物栽培的ＬＥＤ照明装置。包括ＬＥＤ驱动控制器，散热器，铝基板，ＬＥＤ光源，光学元件，搁架和搁板。ＬＥＤ驱动控制器、散热器、铝基板、ＬＥＤ光源和光学元件组成一个照明系统，安装在搁架的顶端，搁...

本发明属于电子技术领域，具体为一种基于铁电材料电畴的极化组装微小颗粒有序阵列的方法。本发明通过选择性的极化铁电薄膜的电畴而形成表面电荷的阵列图形，通过它与有极性的微小颗粒相互作用，实现微小颗粒有选择性的组装沉淀到铁电薄膜表面，从而形成微...

本发明属于聚合物合成技术领域，具体为一种具有耐黄变性能的低分子量聚合物的制备方法。聚合反应在一定温度下进行，通过自由基引发剂的热分解引发聚合反应，不使用十二硫醇等链转移剂，只是利用在聚合过程中的对聚合条件的调节来实现对聚合物聚合度的调控...

本发明属于植物基因工程技术领域，具体为一种拟南芥ＴＣＰ家族转录因子及其编码基因与应用。本发明所提供的ＴＣＰ８蛋白，来源于拟南芥，名称为ＡｔＴＣＰ８，其氨基酸序列如ＳＥＱＩＤＮＯ：２所示。拟南芥ＴＣＰ８转录因子的编码基因的核苷酸序列为ＳＥ...

本发明属于植物基因工程技术领域，具体为一种沙冬青的焦磷酸酶及其编码基因与应用。本发明所提供的焦磷酸酶基因，来源于沙冬青，名称为ＡｍＶＰ１，其氨基酸序列如ＳＥＱＩＤＮＯ．２所示。沙冬青焦磷酸酶的编码基因，是下列核苷酸序列之一：ＳＥＱＩＤＮ...

本发明属于植物基因工程技术领域，具体为一种高羊茅的叶绿素降解代谢调控相关蛋白及其编码基因与应用。本发明所提供的叶绿素降解代谢调控相关蛋白，来源于高羊茅，名称为ＦａＮＹＥ１，其氨基酸序列如ＳＥＱＩＤＮＯ：２所示。高羊茅叶绿素降解代谢调控相...

本发明属于植物基因工程技术领域，具体公开一种不结球白菜与衰老调控相关的ＮＡＣ家族转录因子及其编码基因与应用。本发明所提供的衰老相关转录因子，来源于不结球白菜品种“夏冬青”，名称为ＢｃＮＡＣ１，其氨基酸序列如ＳＥＱＩＤＮＯ．２所示。不结球...

本发明属于信息技术领域，具体为一种服装大规模定制供应链网格模型实现的系统。它包括：需求网格、核心服装企业Ｅ－ＨＵＢ平台和资源网格。需求网格以需求编码、生成日期、客户编码、网格编码等参数来描述空间地理位置上各客户需求；Ｅ－ＨＵＢ平台实现服...

本发明属于搜索引擎技术领域，具体涉及一种支持多数据源的索引维护方法。本发明将整个索引库分为一系列子索引库，每个子索引库存储一定时间粒度内的索引，子索引库包含一个独立的目录及相关文件。操作步骤分为三个流程：子索引库的数据加载、子索引库的合...

本发明属于转基因技术领域，具体为水稻ＯｓＰＳＫ３基因在改良水稻农艺性状方面的应用。在籼稻中过表达该基因时，转基因植株表现出更强的生长势，包括植株萌发和生长更加迅速，须根系较对照更为发达，叶片颜色明显加深，茎杆变长，成熟时茎杆粗壮，叶片颜...

本发明属于等离子体技术领域，具体为一种等离子体浸没注入设备的剂量控制系统。该控制系统包括位于离子注入设备内部的信号采集器，外围的信号测量设备以及计算机处理系统。其中信号采集器的设计依据及计算机自动控制系统的算法包含了本发明系统提供的离子...

本发明涉及一种统计静态时序分析方法。该方法基于改进的嵌套式稀疏网格积分法的自适应随机配置法ＭＡＳＣＭ来求解统计静态时序分析方法中的ＭＡＸ逼近问题。在ＭＡＳＣＭ中，将ＭＡＸ逼近按照输入端情况分为两类：线性输入条件和非线性输入条件。在线性输...

本发明公开了一种具有吸氧钛盖帽层的砷化镓ＭＯＳ器件。在砷化镓（ＧａＡｓ）衬底表面生长一层很薄的金属钛（Ｔｉ）盖帽层，Ｔｉ对氧原子具有很强的吸附能力，可以分解ＧａＡｓ衬底表面的自然氧化物和界面附近的低ｋ界面层，从而可以抑制低ｋ界面层的形成...

本发明属于半导体制造技术领域，具体公开了一种锗的表面钝化方法。采用硫代乙酰胺（ＣＨ３ＣＳＮＨ２）溶液钝化锗（Ｇｅ）片，可以清除Ｇｅ片表面的自然氧化物，并且能够生成均匀致密的ＧｅＳｘ钝化层，防止Ｇｅ片表面的再次氧化，消除费米能级钉扎。在钝...

本发明涉及针对工艺偏差影响下带有透明锁存器的数字集成电路进行速度分级的方法，包括：步骤１，计算带有透明锁存器的数字集成电路的最小时钟周期累计密度分布函数；步骤２，根据上述最小时钟周期累计密度分布函数采用贪婪算法来计算最优时钟周期等级分界...