本发明属于遥感图像处理技术领域，具体为一种基于Cayley-Menger行列式的高光谱遥感图像端元提取方法。本发明采用采用线性混合模型，在已知高光谱数据集和端元数目的基础上实现端元提取。该方法是一种基于单形体几何的端元提取方法，它将Ca...

本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种具有尖峰状底电极、平整顶电极的有机阻变存储器（RRAM）及其制备方法。本发明首先制备尖峰图形的衬底，然后依次淀积底电极、旋涂有机介质层、淀积顶电极，最终形成具备尖峰状底电极的有机RRAM器件。由于具...

本发明属于分析技术领域，具体为一种具备离子选择和存储功能的二次离子质谱一次离子源。具体为采用四极杆电极系统对一次离子源产生的离子进行质量选择和离子存储。二次离子质谱中，二次离子的离子化效率和对样品深度的分析能力取决于一次离子的能量。四极...

本发明属于射频集成电路技术领域，具体为一种采用正反馈和负反馈结构的多模低噪声放大器。它由跨导放大器、正反馈网络、负反馈网络和输出LC谐振网络组成。本发明的电路结构，结合了正反馈技术与负反馈技术，降低了低噪声放大器的噪声，提高了增益，并且...

本发明属于LED照明电源转换器技术领域，具体为一种COT模式LED照明驱动电路。包括降压Buck电路、采样电路、辅助电路、COT模式控制电路；其中，COT模式控制电路分别与降压Buck电路、采样电路相连；降压型Buck电路与采样滤波电路...

本发明属于薄膜晶体管器件技术领域，具体为一种用于氧化物薄膜晶体管的半导体层材料。该半导体层材料为铟锌钛氧化物。其中铟、锌和钛的成分比例控制在一定范围内的。本发明还提供以这种氧化物作为沟道层材料的薄膜晶体管。本发明获得的薄膜晶体管在平板显...

本发明属于电化学技术领域，具体为一种用作锂离子电池的电极负极材料及其制备方法。本发明提出的电极负极材料为三氧化二铋纳米薄膜，薄膜厚度为0.2-0.5μm。可采用脉冲激光沉积技术制备三氧化二铋纳米薄膜。该薄膜制成的电极，其理论容量为690...

本发明涉及一种基于模糊控制技术的情景照明综合控制系统，由控制面板、控制器、控制执行器、LED驱动电路、RGB全彩色LED灯组和传感器组成，控制器包括情景模式控制器和模糊控制器，控制面板输出端连接控制器，模糊控制器的输入端与传感器相连接，...

本发明属于直流转换器技术领域，具体公开了一种数字自动选频直流转换器。该直流转换器主要包括降压Buck电路、数字控制电路和模数转换器ADC。所述数字控制电路由锁相环、数字补偿器模块、dither结构数字脉宽调制器、时钟产生模块、非线性控制...

本发明属于基因工程技术领域，具体为一种检测结核分枝杆菌北京基因型的方法。本发明通过基因扩增和序列比对分析，检测Rv2629基因191位核苷酸A/C和Rv0444c基因242位核苷酸G/C突变，如果Rv2629和Rv0444c基因同时发生...

本发明属于存储器技术领域，具体为基于铁电薄膜的表面阻态随电畴变化的存储器及其制备方法。所述存储器包括电极以及位于所述电极之下的电阻转变存储层，所述电极由金属电极材料制成，所述电阻转变层为铁电薄膜材料。本发明存储器的结构简单，通过铁电薄膜...

本发明属于结核病诊断技术领域，具体为一种用于多耐药结核杆菌血清学诊断的重组蛋白。该重组蛋白为Rv1793重组蛋白，由如下步骤获得：将Rv1793插入到pET28aEcoRI和HindIII酶切位点之间形成重组质粒，然后转化到E.coli...

本发明属于电子锁技术领域，具体涉及一种基于随机数开锁的蓝牙电子锁系统。系统分为钥匙和锁两部分。钥匙是带有蓝牙功能的智能手机；锁包括电源转换、单片机、蓝牙收发模块、LCD液晶显示器、GPRS模块、电子锁具。钥匙端和锁端通过蓝牙进行通信，发...

本发明属于超宽带技术领域，具体是一种频率偏差的估计与补偿方法。本发明包括载波频率偏差(CFO)的估计与补偿和采样时钟频率偏差(SFO)的估计与补偿，可适用于多带正交频分复用超宽带系统（MB-OFDMUWB）。本发明利用快速傅里叶变换（F...

本发明属于医药技术领域,具体为一种二芳基嘧啶酮腙衍生物及其制备方法和用途。所述二芳基嘧啶酮腙衍生物，还包括其药用盐，其立体化学异构体，其水合物和溶剂化物，其多晶或共晶，其同样生物功能的前体和衍生物。其制备方法是在碱的作用下，肼盐，取代肼...

本发明属于硅纳米材料技术领域，具体为一种利用离子束轰击制备硅纳米锥阵列的方法。其步骤包括：构建真空环境，离子溅射时真空腔气压保持在2×10-2Pa以下；在真空腔内放置所要掺杂的金属，形成离子束轰击过程中的金属共掺杂；用离子束轰击硅片以及...

本发明属于蚕丝蛋白处理技术领域，具体为涉及一种再生蚕丝蛋白的离子液体溶液及其制备方法。制备方法：包括冷冻干燥除水和减压溶解两个步骤：即将蚕丝或蚕丝蛋白材料与离子液体混合均匀，液氮条件下冷冻后，置于冷冻干燥机内除水；然后将干燥后的混合物在...

本发明属于固态电容技术领域，具体涉及一种固态超级电容的制备方法。本发明首先采用化学镀方法制备高密度金属银纳米晶阵列；然后以该银纳米晶为催化剂，通过金属辅助刻蚀工艺在重掺杂的低阻硅片上形成密度高、深宽比大和十分有序的深槽结构，最后以此深槽...

本发明属于碳纳米管薄膜制备技术领域，具体为一种取向碳纳米管/聚合物复合膜的制备方法。本发明以环氧树脂包埋液、增韧剂和碳纳米管阵列为原料，采用渗透的方法，使树脂单体渗入阵列内部，然后加热固化形成复合材料；最后通过切片机对样品切片得到碳纳米...

本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种适用于铜互连的Ru/WHfN抗铜扩散阻挡层及其制备方法。本发明中，抗铜扩散阻挡层采用Ru/WHfN双层结构。由于在WN中加入了Hf，大大提高了WHfN薄膜的结晶温度，使得Ru/WHfN双...