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复旦大学专利技术
复旦大学共有18213项专利
基于单原子铁催化剂电化学还原一氧化氮产羟胺的方法技术
本发明涉及单原子金属催化剂技术领域,尤其是涉及基于单原子铁催化剂电化学还原一氧化氮产羟胺的方法。本发明首先将单原子金属催化剂、Nafion溶解于异丙醇中,得到混合溶液,然后将混合溶液滴涂至碳纸上,后处理得到工作电极;然后采用流动相电解池...
一种高折光率有机硅胶黏剂及其制备方法技术
本发明属于胶粘材料技术领域,具体为一种高折光率有机硅胶黏剂及其制备方法。本发明公开了一种高折光率、高透光率的可以用于液晶屏显示器贴合用的有机硅胶黏剂。本发明提供的有机硅胶黏剂为双组分,以重量份计:组份A:1500
一种基于奥沙利铂偶联性两亲聚合物的胶束制造技术
本发明属生物技术领域,具体涉及一种基于奥沙利铂偶联性两亲聚合物的胶束。本发明利用氧化态的奥沙利铂将亲水性聚乙二醇和疏水性聚乳酸
一种还原激活型近红外荧光和光热型染料制造技术
本发明属生物技术领域,具体涉及一种还原激活型荧光和光热型染料。本发明构建了一种基于半花菁染料的、可在还原条件下特异激活的染料,激活后该染料同时具备良好的近红外荧光量子产率和光热转化效率。该可激活型染料将可用于智能组织示踪和肿瘤的按需光热...
基于FPGA的硬件感知可微分BERT层头剪枝方法技术
本发明公开了一种基于FPGA的硬件感知可微分BERT层头剪枝方法。其包括以下步骤:引入可微分NAS的思路,为预训练好的BERT模型的每一个编码层,每一个注意力头,每一个前馈神经网络FFN维度均设置一个架构参数;对单层BERT模型进行仿真...
增强型氮化镓器件以及器件的制作方法技术
本发明提供了一种增强型氮化镓器件,包括:衬底;沿远离衬底方向依次形成于衬底上的沟道层以及势垒层;形成于势垒层上的漏极、栅极和源极;钝化层,钝化层位于势垒层上,且覆盖所述栅极、源极与漏极,并填充栅极与源极以及栅极与漏极之间的间隙;金属互连...
具有栅极保护功能的GaNHEMT器件结构及其制作方法技术
本发明提供了一种具有栅极保护功能的GaN HEMT器件结构,该器件包括:GaN HEMT器件;第一成核层;所述第一成核层形成于所述GaN HEMT器件上;以及形成于所述第一成核层上的PN二极管;其中,所述PN二极管包括:分别形成于所述第...
氮化镓功率器件的制作方法、器件以及集成电路技术
本发明提供了一种氮化镓集成电路的制作方法,该方法包括:提供一衬底;在衬底上沿远离所述衬底的方向依次形成沟道层和势垒层;在势垒层表面沉积硬掩模;刻蚀硬掩模以在硬掩模上形成开孔;在开孔内外延p
带有负压驱动模块的常开型氮化镓功率器件集成电路制造技术
本发明提供了一种带有负压驱动模块的常开型氮化镓功率器件集成电路,包括:衬底;形成在所述衬底上第三区域的常开型氮化镓功率器件和第一区域与第二区域的负压驱动模块;其中,所述负压驱动模块用于保持所述常开型氮化镓功率器件在非工作状态时关断。解决...
增强型氮化镓晶体管、制作方法、设备的制备方法及设备技术
本发明提供了一种增强型氮化镓晶体管,该晶体管包括:衬底,以及沿远离所述衬底方向形成于所述衬底上的成核层、缓冲层、沟道层、势垒层以及p
一种水下下肢康复训练机构及机器人制造技术
本发明属于医疗器械技术领域,具体涉及一种水下下肢康复训练机构及机器人。本发明包括腿部训练机构包括髋关节训练装置、可调节大腿板、可调节小腿板、膝关节训练装置、踝关节训练装置以及脚踏板;髋关节训练装置、膝关节训练装置、踝关节训练装置均通过鲍...
一种三维硅基电容器及其制备方法和集成无源器件技术
本发明公开了一种三维硅基电容器,包括在硅衬底上刻蚀出的沟槽结构,沟槽结构上交替沉积有导电层和介电层,不同的导电层之间通过介电层完全隔离,沟槽结构包括硅柱阵列和硅柱阵列之间的沟槽,沟槽处填充有隔离层,顶层导电层与隔离层上沉积有第一电极层,...
一种三维硅电容集成结构、集成无源器件及其制备方法技术
本发明公开了一种三维硅电容集成结构,属于集成电路制造技术领域,该集成结构包括在硅衬底上刻蚀出的沟槽结构,该沟槽结构包括硅柱阵列和硅柱阵列之间的沟槽,其中,该集成结构还包括依次在硅柱阵列上交替沉积的导电层和介电层以及沟槽处填充的隔离层,使...
一种纤维神经电极及其制备方法技术
本发明属于神经电极领域,具体为一种纤维神经电极及其制备方法。本发明通过湿法纺丝将导电高分子制备成为纳米级纤维网络,并将人工液体基质填充于纳米纤维网络形成导电高分子纤维电极,通过调节液体基质的溶度参数得到模量为50
一种路面投影式大灯的亮度控制方法、系统及装置制造方法及图纸
本发明公开一种路面投影式大灯的亮度控制方法、系统及装置,涉及灯光亮度控制技术领域,方法包括:获取路面投影式大灯的当前亮度调节模式;根据所述路面投影式大灯的当前亮度调节模式,确定所述路面投影式大灯的当前灯光亮度等级;获取当前时刻所述路面投...
一种部分耗尽型SOIMOSFET体区电阻的计算方法技术
本发明属于半导体集成电路技术领域,具体为一种部分耗尽型绝缘层上硅金属氧化物半导体场效应管体区电阻的计算方法。本发明根据H型栅MOSFET结构特点,利用电容感应电荷原理,求解正面栅压和背面栅压在器件体硅内产生的耗尽电荷量。然后根据源极pn...
一种基于FPGA的Transformer硬件加速器制造技术
本发明公开了一种基于FPGA的Transformer硬件加速器;其包括数据预处理模块、计算单元和控制器;计算单元包括矩阵处理单元和非线性处理单元;非线性处理单元包括激活函数单元、层标准化模块和Softmax模块;数据预处理模块部署在CP...
一种纤维水系二次储能器件及其制备方法技术
本发明涉及一种纤维水系二次储能器件及其制备方法。该储能器件包括内部纤维电极以及包裹在纤维电极外的外部凝胶电解质。制备方法包括以下步骤:电解质浆料的配制:将海藻酸钠水溶胶与锂盐溶液混合,获得分散均匀的电解质浆料;湿法纺丝成型:通过多孔复合...
基于卷积神经网络的孟德尔果蝇遗传性状批量鉴别方法技术
本发明属于遗传学与图像智能处理技术领域,具体为一种基于卷积神经网络的孟德尔果蝇遗传性状批量鉴别方法。本发明方法包括使用移动端设备采集果蝇图像,人工标注采集的果蝇定位框、果蝇多性状、果蝇结构关键点数据集;使用随机增强与渐进式增强方法训练模...
一种氢同位素标记沃替西汀的合成方法技术
本发明公开了一种氢同位素标记沃替西汀的新型合成方法,属于有机合成技术领域。包括如下步骤:惰性气氛下,以碱金属盐为催化剂,沃替西汀为反应物,向反应容器中充入氘气或加入氘代二甲基亚砜或充入氚气,在预定温度下密闭反应预定时间,即得氢同位素标记...
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