说明用于在基片上旋涂工作溶液的方法和设备，其中，该方法和设备含有一个检测工作溶液的压力例如与从分配器分配工作溶液的开始和结束相关的压力的压力传感器；一些优选方法和设备测量分配管路中的光致抗蚀剂、显影剂、水、溶剂或清洁剂的压力；并且一些优...

本发明涉及制造具有高水平的均匀度的氧化物层优选为超薄氧化物层的方法。一种这样的方法包括步骤：在半导体衬底的半导体表面上直接或间接地形成基本饱和或饱和的氧化物层；并且将基本饱和或饱和的氧化物层的厚度以刻蚀法减少一定量，使得刻蚀后的氧化物层...

用于处理半导体晶片的设备和方法。在一个实施方案中，该设备包括：一浸没处理容器（１０），在该浸没处理容器中，在处理期间一个或多个晶片（１６）设置在处理液（１８）中；至少一个声源（２２），它与处理液（１８）声学耦合并且在处理期间在装在处理容...

在工艺室内处理微电子基片的系统，该系统结合了从湿法过渡到干法（特别是从冲洗过渡到干燥）的改进技术。在润湿处理之后保留在液体供应管线内的至少部分残余液体经路径脱除，以避免直接吹扫到基片上。本发明还包括相关的方法。

本发明涉及用臭氧处理类晶片物体（例如，具有暴露铜部件和／或包含低ｋ电介质材料）的方法。在某些优选实施例中，还使用碱用于处理类晶片物体。

一种机器人制造系统，可以包括多个机器人，用于在制造工艺中的一系列级之间传送材料。为了提供改善的效率，这些机器人的每一个可以根据操作的逆工艺流程、周期调度来独立操作。

从基材（１８）除去材料优选光致抗蚀剂的方法包括：以有效基本上均匀涂覆该材料涂覆的基材的量将包含硫酸和／或其干燥物质和前体并具有不大于５∶１的水／硫酸摩尔比的液体硫酸组合物散布到该材料涂覆的基材上。优选地，在该液体硫酸组合物的散布之前、期...

用于改进放置在热处理设备（１０）的受热托板（３８）上进行处理的工件（３３）的温度均匀性的方法和设备。受热托板（３８）封闭在壳体（３１）内，壳体（３１）包含附加热源（６８），它均匀地将热能输入受热托板（３８）所放置的处理腔（３４）中。在优...

加热部件和有关方法，用来处理基底（１３）例如微电子器件，加热部件包括一个导热层（２０），导热层制备成具有上好平面度，而且还具有有利于快速、灵活而且均衡地进行热传递的热传递特性，该导热层优选采用陶瓷材料构成。该加热部件包括一个多层加热元件。

一种旋转式活接头（２０），具有壳体（３７）、转子（７０）以及一根柱子，以便使得流体可以通过该旋转式活接头（２０）进行输送。转子（７０）被可旋转地联接在壳体（３７）上，优选的是利用至少一个介于转子外部的一部分与壳体内部的一部分之间的轴承来...

本发明描述了一种分配装置以及它们的使用方法，这种分配装置具有位于控制室（４）内部的一个或多个处理室（８），为分配流体特别是数量精确地分配流体，通过向该控制室添加控制流体或自该控制室排出控制流体同时正确地开闭阀来增大或减小处理室的容积，以...

一种微电子基片处理装置，包括彼此隔开一定距离的第一和第二支承件，该第一支承件具有一系列上部齿，该上部齿形成沿第一支承件长度延伸的一系列上部凹槽，还包括一系列下部齿，该下部齿形成一系列沿第一支承件长度延伸的一系列下部凹槽，该上部和下部凹槽...

一种用于教导机器人在其工作环境内的位置的方法，所述方法包括以下步骤：　　　　在机器人的工作环境中提供触摸敏感表面；　　　　使所述触摸敏感表面接触机器人的工作环境中的物体；　　　　产生表示所述接触相对于所述触摸敏感表面的位置的信号；以及　...