接入区中具有高N掺杂的III族氮化物晶体管。该用于与III族氮化物半导体结构一起使用的新晶体管结构包括位于源极区和漏极区中的重掺杂n++层。源电极和漏电极设置在它们相应的重掺杂n++层上。此外，在一些实施方式中，栅电极的一部分可以设置在...