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菲利浦电子有限公司专利技术
菲利浦电子有限公司共有114项专利
数字数据通信系统技术方案
一种数字数据通信系统包括利用多址无断裂信道连接的多个发送站(TS1、…TSN)和至少一个接收站(RS)。在图中利用频分多路复用在光纤上提供信道,利用星形耦合器(SC)连接,虽然可采用其它的信道分离方法。每个发送站包括一个数据源(DS1)...
用于消除接收干扰的天线分集接收系统技术方案
用于移动接收调频振荡信号的天线分集系统,包括一接收机、诸天线和一分集处理器.按本发明的最佳系统包括具有中频部分的FM调谐器,两个以上天线,分集处理器接收与从天线信号中得到的一定线性组合相对应的一中频信号或一高频信号.分集处理器还包括一连...
带天线的无线电收音机制造技术
一种无线电收音机,有一个天线和一个在天线底部由导电材料制成的地平面。 为避免电磁辐射危害袖珍收音机使用者的健康,建议将地平面制造得使其基本上从天线底部延伸到外壳在收音机工作时面对使用者头部的一侧。
光通信系统技术方案
光通信系统包括:直接调制的半导体激光器(10),其输出根据高频调制信号而造成脉冲缩短;行波激光放大器(14);连接成能把输出提供到光通道(16);以及用来把从通道接收的信号变换成电信号的光检测器。放大器(14)在响应过激励的阶跃光输入时...
通信系统及其发送装置制造方法及图纸
一种包括发送机和接收机的通信系统,该发送机包括提供无直流扩频信号的装置,滤波该扩频信号的滤波装置,和耦合到该滤波器的输出端的振荡器,所述振荡器提供该发送机的发送频率,并且该接收机包括用于提供相对于下变频信号频率的正交信号的下变频装置,用...
数--模转换器制造技术
第一电流源晶体管的电流构成一个二进制权的电流系列,系列中每一个电流值与加到基准晶体管的电流成设定的比率,加到基准晶体管的电流是基准电流的一部分.第一电流晶体管的电流根据数字输入代码的值,随着基准晶体管电流按进步方式增加而增加.而加到基准...
信息字变换方法、记录载体制造法、编码和记录设备技术
把m位信息字(1)的序列变换为已调信号(7)的方法,m为整数,在该方法中,对于每一接收的信息字(1)均产生一n位码字(4),n为大于m的整数,把产生的码字(4)变换为已调信号(7),并且,按照变换规则把信息字序列变换为码字序列,以便使相...
模数转换器制造技术
在模数转换中根据输入信号(IN)和至少一个参考电平(REF)之间的各次比较来获得数字码(DC)。为了改善模数转换性能,进行关于起码一次比较(A)的输入信号(IN)和相应的参考电平(REF)之间的交换。这样处理(POPR)数字码(DC)、...
直接混频同步调幅接收机制造技术
为增强在锁相环中所产生的载波与输入端载波之间的相位同步,必须降低相检时引起的相对有用直流相位信息的无用寄生直流偏移.这可用以下方法加以实现,首先将所说的相位信息调制到一个辅助的载波上,然后根据由所说的无用寄生直流偏移引起的干扰分量有选择...
基片偏压发生电路制造技术
一个基片偏压发生电路,充电泵的电容和二极管的结点,经过两个以上三极管的串联被接到该电路的接地点上(这个接地点也是集成在基片上的另一个电路的接地点,偏压就是为该基片而产生的).在电容的充电阶段里,该三极管完全导通,因为导通的三极管不引起(...
包含阶梯信号发生器的图象显示装置制造方法及图纸
图象显示装置包含用于产生为显示屏上象点定址的周期性阶梯波形信号的发生器。所述阶梯波形的初始值是可设定的,并且,每当时钟脉冲出现时发生阶式变化。通过下列措施确定所述阶跃的高度:在预定的测试时刻测试阶梯波形值,或者,当阶梯波形处于预定的电平...
宽带控制放大器制造技术
具有宽广控制区的宽带控制放大器,在负反馈电路中有一个差动放大器.采取的办法使得开环增益与差动放大器的信号分支无关.例如:控制放大器,可用在光纤系统接收器中作为输入放大器,补偿与长度和温度相关的光电耦合中的衰减.
开关型电源电路制造技术
一种开关型电源电路,包含一个变压器和变压器初级侧的一个可控开关。第一部分具有回程直流换流器的形式,它包括变压器的第一次级绕组,用于通过对电路的直流输入电压和第一负载的变动进行控制而产生稳定的第一直流输出电压。第二部分包括变压器的第二次级...
发光半导体器件及其制造方法技术
一种包含具有第一导电型半导体基片的半导体本体的发光半导体二极管,所述基片上至少存在第一导电型过渡层、第一导电型第一涂层、活性层及第二导电型第二涂层。其中过渡层含有砷化铝镓,铝含量至少为属于活性层带隙的最小值。因此活性层在例如650nm波...
具有位敏探测器的读/写系统技术方案
在一种位置灵敏辐射探测器中,在工作条件下,它所含有的半导体本体至少包含一个位于两个附有联接电极(9)的辐射灵敏二极管(6)之间的高欧姆电阻区(11),一个位于两个附有联接电极(9)的半导体区(6)之间的高欧姆电阻区(11),可以用下述方...
包含互补场效应晶体管的集成电路制造技术
包含有互补场效应晶体管的集成电路,它们二者是常截止、耗尽型的.这二个晶体管在沟道区都有一个表面层,它们和与之相连的源漏区具有相同的电导类型.在这二个表面层中,其每单位表面积中的渗杂量至少等于分别和这二个表面层相连的二个衬底区部分每单位表...
制作射线平版印刷用的掩膜的方法技术
一种制作射线平版印刷用的掩膜的方法,该掩膜有一个掩膜支持体和一个基底,基底上有一层按所要的掩膜图样而制作的吸收剂层,氧含量在21-29原子百分比之间的部分氧化的钨吸收剂层的最佳厚度在0.2-1.2微米范围内,吸收剂层最好用阴极溅射的方法...
电荷耦合器件制造技术
在CCD排列中,例如,二维图象传感器,通常以两个(或多个)水平寄存器的形式提供输出寄存器。通过水平寄存器之间的横向连接,把电荷包从一个水平寄存器传送到另一个水平寄存器。为了避免在横向传输时由于窄沟道效应造成的延时,在相邻时钟电极的减小处...
带有含漏扩展区的MOST的高压半导体器件制造技术
本发明涉及到一种半导体(1)中含有一个第一导电类型表面区(3)的半导体器件,此表面区邻接于一个表面且其中形成有一个场效应晶体管,此场效应晶体管包含一个沟道区(7),其上有栅电极(8)、一个源区(4)、一个漏区(5)和一个漏扩展区(6)。...
具有肖特基隧道势垒的带存储器的开关元件制造技术
一种有两个电极(1,2)的开关元件,电极之间有半导体电介质(3),电极(2)包括一与半导体电介质(3)形成肖特基接触的材料,而肖特基接触的空间电荷区(3′)在操作期间形成电子的隧道势垒。根据本发明,开关元件的特征在于,电介质(3)包括带...
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