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裴秉根专利技术

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用于屏蔽有害辐射的装置及其制造方法制造方法及图纸

这里公开了一种用于屏蔽有害辐射的装置，其包括各向异性磁体。在该装置中，磁体具有朝向有害辐射的发射源取向的Ｓ极以及朝向保护目标取向的Ｎ极，由此通过使用从Ｎ极发射到Ｓ极的磁通量，屏蔽所述目标使其免受有害辐射的影响。

最后更新日期：2012-04-11 18:40 访问量：122