用于屏蔽有害辐射的装置及其制造方法制造方法及图纸

这里公开了一种用于屏蔽有害辐射的装置，其包括各向异性磁体。在该装置中，磁体具有朝向有害辐射的发射源取向的Ｓ极以及朝向保护目标取向的Ｎ极，由此通过使用从Ｎ极发射到Ｓ极的磁通量，屏蔽所述目标使其免受有害辐射的影响。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种用于屏蔽有害辐射的装置，包括各向异性磁体，其中所述磁体具有朝向有害辐射的发射源取向的南（Ｓ）极以及朝向保护目标取向的北（Ｎ）极，由此通过使用从Ｎ极发射到Ｓ极的磁通量，屏蔽所述目标使其免受有害辐射的影响。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：裴秉根，
申请(专利权)人：裴秉根，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]