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芳尾真幸专利技术
芳尾真幸共有2项专利
混合电容器制造技术
本发明的混合电容器,正极包含作为正极活性物质的石墨,正极侧的集电体是铝材,铝材覆盖有sp2结构的含量比率sp2/(sp2+sp3)为80%以上的碳镀膜。上的碳镀膜。上的碳镀膜。
蓄电元件及双电层电容器制造技术
本发明提供一种静电容量大的双电层电容器。在相对锂的氧化还原电位1V以上的电压中,具有10~200mAh的能量贮藏能力的BET表面积10~300m↑[2]/g的石墨、以及以使用该石墨为特征的蓄电元件。
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