芳尾真幸专利

芳尾真幸专利技术

芳尾真幸共有2项专利

混合电容器制造技术

本发明的混合电容器，正极包含作为正极活性物质的石墨，正极侧的集电体是铝材，铝材覆盖有sp2结构的含量比率sp2/(sp2+sp3)为80％以上的碳镀膜。上的碳镀膜。上的碳镀膜。

最后更新日期：2022-03-20 08:05 访问量：22
蓄电元件及双电层电容器制造技术

本发明提供一种静电容量大的双电层电容器。在相对锂的氧化还原电位１Ｖ以上的电压中，具有１０～２００ｍＡｈ的能量贮藏能力的ＢＥＴ表面积１０～３００ｍ↑［２］／ｇ的石墨、以及以使用该石墨为特征的蓄电元件。

最后更新日期：2012-04-11 18:40 访问量：133