根据本发明的一实施例，本发明提供一种利用沉积装置生成氧化膜的方法，包括：步骤（a），在基板上沉积由氮化膜构成的第一薄膜；步骤（b），通过向所述第一薄膜喷射OH自由基来氧化所述第一薄膜，从而在所述第一薄膜内形成氮氧化膜；以及步骤（c），在...

公开一种使界面的缺陷增加最小化的薄膜形成方法。根据本发明的一实施例，碳化硅基板高温工序中使界面的缺陷增加最小化的薄膜形成方法包括：步骤(a)，向碳化硅基板上施加自由基气体来沉积第一薄膜；步骤(b)，在上述第一薄膜上进行高温氧化工序来形成...

本发明一实施例的利用蒸镀装置形成氧化膜的方法包括如下步骤：步骤(a)，在硅基板上蒸镀绝缘膜；以及步骤(b)，利用蒸镀装置在绝缘膜上通过OH自由基进行退火来在硅基板与绝缘膜之间形成SiO<subgt;2</subgt;。

本发明涉及一种薄膜形成装置以及用于形成薄膜的自由基单元，根据一实施例的薄膜形成装置包括：腔室；多个气体流入部，在腔室的上部形成，接收用于自由基反应的至少两种反应气体和前体；以及自由基单元，通过使从气体流入部供给的反应气体产生反应来生成自...