【技术实现步骤摘要】
薄膜形成装置以及用于形成薄膜的自由基单元
本专利技术涉及沉积技术(CVD，ALD)，尤其涉及一种薄膜形成装置以及用于形成薄膜的自由基单元，更详细地，涉及通过从装置腔室内的上部一同喷射前体和反应气体来有效进行沉积的自由基单元(radicalunit)结构。
技术介绍
原子层沉积(ALD)是指纳米薄膜沉积技术，利用了在半导体制造工序中化学粘附在单原子层的现象。在晶片表面上通过反复进行分子的吸附和替换来进行原子层厚度的超微细层间沉积，从而能够以尽可能薄的方式堆叠氧化物和金属薄膜。并且，作为在半导体制造工序中使用的其他工艺有化学气相沉积(CVD)。化学气相沉积是指通过向腔室内注入气体成分来激发或促进用于供给热量、等离子、光等能量的化学反应，从而合成薄膜或粒子并吸附及沉积在基板的表面上的沉积方法。尤其，为了进行高品质的原子层沉积或化学气相沉积，则需要混合及均匀喷射前体和反应气体。但是，现有的原子层沉积装置具有如下问题，即，由于在实现基板沉积的腔室内部中前体和反应气体的喷射方向互不相同，因此气体无法到达基板图案深处，从而...
【技术保护点】
1.一种薄膜形成装置，其特征在于，包括：/n腔室；/n多个气体流入部，在上述腔室的上部形成，接收用于自由基反应的至少两种反应气体和前体；以及/n自由基单元，通过使从上述气体流入部供给的反应气体产生反应来生成自由基，通过向下部喷射上述自由基和前体来在基板沉积薄膜，/n其中，上述自由基单元由多个板形成，前体喷射路径被配置为在多个上述板中的顶部板中，通过比上述气体流入部的前体喷射路径多的多个路径分配前体后使前体从自由基单元喷射，反应气体喷射路径与上述前体喷射路径互不重叠。/n
【技术特征摘要】
20200122 KR 10-2020-00088791.一种薄膜形成装置，其特征在于，包括：
腔室；
多个气体流入部，在上述腔室的上部形成，接收用于自由基反应的至少两种反应气体和前体；以及
自由基单元，通过使从上述气体流入部供给的反应气体产生反应来生成自由基，通过向下部喷射上述自由基和前体来在基板沉积薄膜，
其中，上述自由基单元由多个板形成，前体喷射路径被配置为在多个上述板中的顶部板中，通过比上述气体流入部的前体喷射路径多的多个路径分配前体后使前体从自由基单元喷射，反应气体喷射路径与上述前体喷射路径互不重叠。
2.根据权利要求1所述的薄膜形成装置，其特征在于，
上述前体喷射路径被配置为如下形式：在上述顶部板水平分配上述前体后，通过垂直贯通剩余的至少一个板来喷射。
3.根据权利要求2所述的薄膜形成装置，其特征在于，
在上述顶部板，上述前体喷射路径以上述前体所流入的上述顶部板的中心为起点呈放射状结构。
4.根据权利要求3所述的薄膜形成装置，其特征在于，
在上述顶部呈放射状的上述前体喷射路径被配置为具有预定长度的多个一字型管分别共享中心并交叉的形式，在各个上述一字型管上以规定间隔隔开形成有排出孔，各个上述排出孔通过垂直贯通剩余的板来进行上述前体的喷射。
5.根据权利要求3所述的薄膜形成装置，其特征在于，
在位于分配上述前体的层下方的上述板，向上述反应气体喷射路径分配上述反应气体。
6.根据权利要求1所述的薄膜形成装置，其特征在于，
通过上述反应气体喷射路径分配上述反应气体的上述板呈多个淋浴喷头结构。
7.根据权利要求6所述的薄膜形成装置，其特征在于，
上述多个淋浴喷头结构由两个以上的上述板形成，形成于上述板的排出孔配置在相互错开的位置。
8.根据权利要求7所述的薄膜形成装置，其特征在于，
在形成上述反应气体喷射路径的多个板中，位于中间的规定的板形成能够混合从多个上述气体流入部流入的互不相同的反应气体的空间。
9.根据权利要求1所述的薄膜形成装置，其特征在于，
自由基单元呈第一板、第二板、第三板、第四板、第五板、第六板、第七板依次层叠的形态，上述自由基单元以与顶部层相对应的上述第一板至与底部层相对应的上述第七板相互层叠的形态结合而成。
10.根据权利要求9所述的薄膜形成装置，其特征在于，
注入上述前体的第一气体流入部形成于上述第一板的上面部中心，以垂直贯通上述第一板的方式形成。
11.根据权利要求10所述的薄膜形成装置，其特征在于，
在上述第一板内部水平设置有具有预设的放射状结构的第一前体喷射路径，上述第一前体喷射路径与上述第一气体流入部相连接，用于分配注入的上述前体，
在上述第一前体喷射路径以预设间隔形成有用于排出上述前体的多个排出孔。
12.根据权利要求9所述的薄膜形成装置，其特征在于，
包...
【专利技术属性】
技术研发人员：申东和，金容源，
申请(专利权)人：EQ泰科普勒斯株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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