一种半导体器件的互连结构，包括：在覆盖硅衬底的介质层中形成的底部互连层；主要成分为铝的顶部互连层，其通过形成于所述介质层中的通栓塞与底部互连层相连；以及具有较高的〈１１１〉取向度的第一阻挡金属层。第一阻挡金属层较高的〈１１１〉取向度抑制...