本发明根据实施方案公开了一种抛光垫和使用该抛光垫制备半导体器件的方法。该抛光垫包括抛光层，该抛光层具有在预定范围内的抛光选择性，该抛光选择性取决于待抛光物体的热膨胀系数。在抛光过程中控制半导体基板的碟陷，以减少半导体器件的表面缺陷和键合...

根据本发明的实施方案，提供了一种再生抛光垫及制备再生抛光垫的方法。所述再生抛光垫包括缓冲层、粘合层和一侧具有多个凹槽的再利用抛光层，并且通过具体等式计算的再利用抛光层的压缩率被控制在预定范围内；因此，可以在保持优异的抛光速率和抛光均匀性...