本发明涉及电路结构，提供具有孔口的电路封盖组件，其可安装在衬底上，可具有与衬底间隔开的内部表面，且可在电路组件上方限定中空腔室。中空腔室可填充有流体，如气体或液体。封盖组件可具有围绕电路组件沿衬底延伸的边缘。在某些实例中，封盖组件可包括...

混频组件（１００）包括混频单元（１１０、１１０′）、平衡转换器（１１２）、正交混频器和镜像抑制混频器等。混频单元可以具有ＣＰＷ带条的ＲＦ输入端和槽线带条的ＬＯ输入端。ＬＯ信号四路通过一个安装在混频器接触区（１４０、１４０′）的倒置片（１...

一个射频功率放大器（２２）包括一个倒装在一个衬底（３０）的一个连接区（３２）上的一个多ＦＥＴ芯片（２６）。一个输入阻抗匹配网络（６２、６４）也安装在该衬底上。该网络包括一个共平面波导（２４），该波导（２４）对于该ＦＥＴ芯片（２６）上的各...

一种具有倒装芯片金属化图形和基片金属化图形的振荡器电路（２０），利用介于源极（４０）和栅极（３６）端子之间的公共漏极（３８）构成一个公共漏极振荡器，提供一种有效的ＲＦ射频共基准，减少在高频率下可能会衰减振荡器功率和相位噪声的寄生电感元件。

一种电路结构（１６０），包括： 一基片； 安装在基片上的槽线（１７０），具有第一平面槽线导体（１７２）和第二平面槽线导体（１８４）； 具有第一，第二和第三波导信号导体（１７２ａ，１８４，１７２）的共平面波导（１７６），...

损耗电阻性膜（２２０，２２０’）与一个射频传输线的纵向延伸共平面导体（２０６，２１０）被定义在绝缘基板（２０２）的平面上。电阻性膜（２２０，２２０’）可放置在平行导体（２０６，２１０）之间的空隙中或空隙之外。共平面导体可以被配置成一个两...

一种构成第一混合电路（５０）的方法，包括步骤： 形成具有多个电器件（Ｑ↓［１］，Ｑ↓［２］）的第一芯片（６６），每个电器件（Ｑ↓［１］，Ｑ↓［２］）包括至少一个具有控制端（６８）和两个载流端（７０，７２）的有源器件（Ｑ↓［１］，Ｑ...

一种混合电路（５０），包括： 一芯片（６６），具有多个电器件（Ｑ↓［１］，Ｑ↓［２］），每个电器件（Ｑ↓［１］，Ｑ↓［２］）包括至少一个具有控制端（６８）和两个载流端（７０，７２ｓ）的有源器件（Ｑ↓［１］，Ｑ↓［２］），和至少两个...