一种半导体存储装置，其特征在于，包括位线对、源极线、字线、和由以配置为行列状的多个存储单元构成的存储单元阵列，存储单元为形成在n型阱上的一对p型晶体管对，晶体管的端子的之一是由形成在n型阱上的金属薄膜构成的肖特基结，另一个端子连接到源极线。

一种半导体非易失存储电路，其特征在于：　　　　有２个具有相同特性的ＭＩＳＦＥＴ型晶体管，通过在某个特定的期间，把第１晶体管的栅极的电压控制为电源电位或者接地电位以外的电压值，控制第１晶体管的导通状态，引起导通电阻值的时效劣化，将由此产生...