本发明涉及在化学机械平面化中，作为反应物的臭氧（Ｏ↓［３］）的用途，其以水溶液或气体形式直接作用于待平面化的表面。含臭氧的水溶液选择性地含有研磨颗粒和／或与臭氧共溶的其它ＣＭＰ试剂，包括碳酸盐和碳酸氢盐阴离子，以及有机酸，例如甲酸、草酸...

本发明涉及化学成分以及用于清洗ＣＭＰ设备（包括将稀浆输送到必要位置的输送管的内部）的方法。本发明的化学成分还用于利用水本身进行的后ＣＭＰ清洗。公开了３类清洗成分，它们均是水溶液。第一类是最好在约１１至约１２的ｐＨ值范围内工作，并且最好含...