俄亥俄航空及航天研究所专利

俄亥俄航空及航天研究所专利技术

俄亥俄航空及航天研究所共有1项专利

化合物半导体及其可控掺杂制造技术

一种控制杂质进入化学汽相淀积工艺所生长的晶体的数量的方法。在生长室中进行的这种方法包括在生长室中控制晶体生长组分的浓度以影响生长晶体中特定生长位置的需求，从而控制杂质向生长位置的进入。

最后更新日期：2012-04-11 18:40 访问量：189