一种振荡控制装置，其用来控制位于远离具有标准振荡器的标准实验室的远程站点的振荡器的频率。所述控制装置包括：比较部分，用来比较与由信号处理部分产生的无线电信号同步的频率信号的频率和从要被控制的振荡器输出的振荡信号的频率；获取部分，用来通过...

为了能够不需要分别设置非易失性存储保持用途的场效应晶体管和逻辑运算用途的场效应晶体管的制造工序，将上述２个用途的场效应晶体管以同一结构制作在同一半导体衬底上，由栅绝缘结构体１２中含有存储保持材料的ｎ及ｐ沟道型场效应晶体管构成半导体集成电...

本发明涉及一种压电体薄膜、压电体及其制造方法、使用该压电体薄膜的压电体谐振子、执行器元件以及物理传感器。其中，压电体薄膜包括含有钪的氮化铝薄膜，氮化铝薄膜中的钪的含有率在钪的原子数和铝的原子数的总量设定为１００原子％时为０．５～５０原子...

一种电信号传输线，包括形成在半导体衬底（１）上的信号电极部分（２）、接地电极部分（３）和介电部分（４）。信号电极部分（２）具有电信号流过的金属电极（２１）、上导电半导体（２２）和下导电半导体（２３）。接地电极部分（３）具有接地金属电极（...

为了提高开路电压，显示高光电转换效率的有机化合物，以该有机化合物作为色素的半导体薄膜电极，提供使用了该半导体薄膜电极的光电转换元件及使用了该光电转换元件的色素敏化型太阳能电池，使用的是上述普通式（１）所示的有机化合物。（式中、Ａ是咔唑（...

本发明提供光电转换率高的新型离子性液体凝胶电解质、使用该离子性液体凝胶电解质的新型色素增感型光电转换元件以及含有色素增感型光电转换元件的太阳能电池。提供通过通式（１）和通式（２）所示的离子性有机低聚物凝胶化剂将液体电解质凝胶化得到的离子...

本发明提供：由多个定向双层碳纳米管构成的，高度０．１μｍ以上的定向双层碳纳米管整体结构体及双层碳纳米管，并在金属催化剂存在下，该催化剂的粒径、膜厚可以控制，优选在水分存在下使碳纳米管进行化学气相成长而制造。由此提供：不混入催化剂、高纯度...

本发明提供一种复合氧化物，具有通式Ｌａ↓［１－ｘ］Ｍ↓［ｘ］Ｎｉ↓［２．７－３．３］或（Ｌａ↓［１－ｘ］Ｍ↓［ｘ］）↓［２］ＮｉＯ↓［３．６－４．４］代表的组成，其中Ｍ是选自Ｎａ、Ｋ、Ｌｉ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｃａ、Ａｌ、Ｎｄ、Ｂｉ和Ｙ的...

一种使用超高取向氮化铝薄膜的压电元件及其制造方法。本发明的目的在于，提供一种在玻璃基板等廉价的基板上不介入密接层而直接由Ｗ层形成下部电极，由此形成没有隆起或裂纹或剥离、而且构成ｃ轴超高取向的氮化铝薄膜的高性能的压电元件。本发明的使用超高...

此前的ＭＦＩＳ晶体管存在的问题的是，在数据写入之后，数据会根据存储晶体管的操作在大约最多一天的时间里消失。这主要是因为：缓冲层与铁电体具有很高的漏电流，因此，电荷积聚在铁电体与缓冲层之间的界面周围，从而屏蔽了由铁电体存储的电极化，使铁电...

由平板状强磁体构成，其平面部形状具有线对称轴的同时在与该线对称轴垂直的方向上非对称，在平行外部磁场堙没时显示环状单磁畴结构，通过这种结构的微小磁体和采用该微小磁体的ＭＲＡＭ或它们的制造方法，能够在纳米级的微小磁体上控制磁化方向，并可消除...

本发明公开了一种有机电致发光元件，所述元件具有顺序层合在发光层４一侧上的正极２和玻璃基质１，以及在所述发光层４另一侧上形成的负极５，所述元件具有功能层，所述功能层通过使至少一种选自染料和电荷传输材料的化合物的气体分子接触并渗透π共轭的有...

以低成本制备具有高共享电场的超导故障－限流元件。一种超导故障－限流元件，包括：绝缘体衬底；在该绝缘体衬底上形成的超导薄膜３；以及在该超导薄膜３上形成的合金层４，所述合金层具有比纯金属的室温电阻率高两倍或以上的室温电阻率，其中，当通过过电...

本发明涉及由分子内具有醚键或羰基及氟原子、仅由碳原子、氟原子及氧原子构成、且氟原子数与碳原子数之比（Ｆ／Ｃ）为１．９以下、碳原子数为４～６的含氟化合物（其中环状醚键为１个、碳碳双键为１个的含氟化合物及羰基为１个的含氟饱和化合物除外）构成...

本发明涉及激光加工装置及激光加工方法，在加工对象物上制作具有预定的超细微图案的纳米构造物，并可以在短时间内进行纳米构造物的加工形状的评价。所述装置具有装载加工对象物并使其旋转的旋转机构和在加工对象物的径向上可直线移动的移动机构，由激光形...

在低浓度ｐ型淀积膜内具备沟道区域和通过离子注入返型成ｎ型的基极区域的ＳｉＣ纵型ＭＯＳＦＥＴ，在截止时会引起栅极氧化膜的绝缘破坏，从而妨碍了高耐压化。本发明通过以下的方式来解决。即，在低浓度ｐ型淀积膜和高浓度栅极层之间设置低浓度ｎ型淀积膜...

一种简化了制造过程并节省能量和材料的探针卡制造方法。提供了一种可以灵活应对端子间距减小、端子布置的变化、端子布置频繁改变的探针卡，以及这种探针卡的制造方法。此外，提供了在不需要为每次液体喷射进行烧结处理的情况下在短时间内形成要成为探针的...

本发明的开关元件（１００）包括：绝缘性衬底（１０），设置在上述绝缘性衬底（１０）上的第一电极（２０），设置在上述绝缘性衬底（１０）上的第二电极（３０），以及设置在上述第一电极（２０）和第二电极（３０）之间，在上述第一电极（２０）和上述第...

本发明提供一种半导体制造装置，其在碳化硅半导体基板（１０）的表面和背面上形成作为金属电极的金属薄膜（１１、１２）之后，进行对碳化硅半导体基板（１０）进行加热的快速加热处理，该半导体制造装置构成为：通过与碳化硅半导体基板（１０）上的形成有...

本发明在石英玻璃基板或不锈钢基板上形成下部电极。在下部电极上用溅射法通过制作薄膜状氮化铝和／或氧化锌，形成压电体薄膜，使其偶极子取向度在５５％以上。然后，在压电体薄膜上形成上部电极。压电元件的压电层由氮化铝和／或氧化锌构成。具有晶体结构...