本发明揭示一种具有到源极及本体区域的经改进接触的垂直漂移金属氧化物半导体VDMOS晶体管及一种制造所述VDMOS晶体管的方法。所述源极区域到相反类型的本体区域中的掩蔽离子植入界定本体接触区域的位置，随后使用毯覆式植入而植入所述本体接触区...

本发明揭示一种垂直功率切换装置，例如垂直超级结金属氧化物半导体场效晶体管MOSFET，其中集成电路的拐角中的终端结构经拉伸以有效地塑形横向电场。所述装置中的终端结构包含例如掺杂区域、场板、绝缘体薄膜及高电压导电区域及处于经施加衬底电压的...

通常在已知为分立半导体的器件类别中找到的垂直半导体器件的关键电气规格的改进对于这些器件在其中使用的系统的性能实现和功率效率有直接的影响。不精确的垂直器件规格使系统建构者或者针对他们需要的规格目标筛选进入的器件，或者以比所期望的更低的性能...

一种半导体器件包括垂直功率器件，诸如超级结MOSFET、IGBT、二极管等，以及表面器件，所述表面器件包括沿半导体器件的顶部表面有电活性的一个或多个横向器件。

公开了一种提供接通电阻根据结温度变化减小的场效应器件。具有源结、栅结和漏结的场效应器件包括邻近于漏结的电阻薄膜，其中，该电阻薄膜包括具有电阻负温度系数的材料。该材料选自由掺杂的多晶硅、非晶硅、硅铬和硅镍所组成的组的一个或多个材料，其中，...

公开了半导体场效应器件，其利用与八边形或逆八边形栅极沟槽组合的八边形或逆八边形深沟槽超结。场效应器件实现了改进的封装密度、改进的电流密度以及改进的导通电阻，同时保持与本地的光掩模处理的45°角度的倍数的可兼容性，并且具有良好地特征化的（...

通常在已知为分立半导体的器件类别中找到的垂直半导体器件的关键电气规格的改进对于这些器件在其中使用的系统的性能实现和功率效率有直接的影响。不精确的垂直器件规格使系统建构者或者针对他们需要的规格目标筛选进入的器件，或者以比所期望的更低的性能...