本发明公开了一种多输出高性能的低压差线性稳压器，属于线性稳压器技术领域。所述低压差线性稳压器包括第一级放大电路，第二级放大电路，功率级电路。本发明通过在第二级电路使用超级源随器电路并且配合电流检测功能来提高整体电路的稳定性与瞬态特性。此...

本发明涉及纳米材料制备技术领域，提供了一种的尺寸可调控高水分散性的Fe<subgt;3</subgt;O<subgt;4</subgt;纳米微球制备方法。解决现有Fe<subgt;3</subgt;O...

本发明公开了一种低辐射损耗、高信号均匀性的接地共面波导，属于磁性参数测量领域。所述接地共面波导包括底部金属接地层、介质基片、接地通孔、信号线、分裂信号线、两侧金属接地层；介质基片设置在金属接地层的上方，介质基片的两侧上方设置有两侧金属接...

本发明公开了一种微波毫米波低成本紧凑型射频数字一体化前端模块，涉及微波毫米波器件技术领域。所述前端模块包括基板层，所述基板层的上表面分别设置有前级化合物裸芯片以及硅基芯片组，位于基板层下表面的第一组BGA焊球经上、下贯穿所述基板层的第一...

本发明公开了一种晶格匹配InP衬底的拓展短波红外探测器，涉及红外探测器技术领域。所述红外探测器包括P层、N层及设在所述P层和N层之间的吸收层。所述吸收层为晶格常数与InP衬底匹配的BGaInAs四元化合物，B组分范围为0～0.15，禁带...

本发明提出一种基于心理访谈的多模态心理问题检测系统，属于人机交互领域。所述系统包括数字医生交互模块、多模态情感分析模块、结构化概率模型、语义分析模块、额外医学信息提供模块；数字医生交互模块采集音频信息及视频信息，发送给多模态情感分析模块...

本发明公开了一种面向非易失性存算一体架构的缓存容量求解器，包括配置端口、CNN模型加载接口、算子解析融合模块、权重拆分映射模块、通信网络映射模块、Tile模型接口和缓存容量迭代模块；本发明根据需求来源划分的缓存类型运行时峰值需求仿真，方...

本发明属于毫米波源技术领域，具体为一种应用于回旋管的非绝热平面发射电子枪，包括阴极组件、阳极和控制极组件；所述阴极组件嵌套在制极组件中，其包括用于发射电子的发射面，发射面为平面结构；所述控制极组件上设有径向孔；电子从发射面发射后经径向孔...

本发明提供了一种基于有机聚合物和氟化的钙钛矿材料的光电存储器及制备方法，光电存储器基于底栅底接触场效应晶体管结构，所述存储器自下而上包括：栅极层、介电层、源极和漏极层、有源层，栅极层材料为硅，介电层材料为二氧化硅，源极和漏极材料为金，有...

本发明公开了一种基于PMMA改性保护层的高韧性偏光片及其制备方法，该基于PMMA改性保护层的高韧性偏光片从下到上依次包括离型膜层、光学压敏胶层、高韧性PMMA保护膜、偏光基体层、高韧性PMMA保护膜和表面保护膜层；高韧性保护膜采用PMM...

本发明属于高分子领域，具体涉及一种等离子体处理协同共聚物涂层的PBO纤维表面改性方法。本发明采用等离子体处理与功能涂层的协同机制设计改性：首先通过氧等离子体处理PBO纤维，在其表面形成微结构与活性基团，快速提升PBO纤维的表面活性；然后...

本发明公开了一种基于深度状态空间模型的低截获雷达信号增强方法，包括以下步骤：S1、获取低截获信号序列数据集；S2、构建基于深度状态空间模型的低截获概率雷达信号增强模型，将状态空间模型嵌入深度神经网络捕捉信号长时依赖性；S3、构建损失函数...

本发明公开一种保密通信专用网络自动化透明加密认证方法，应用于通信领域，针对在高安全性和高灵活性需求的专网环境下，现有的加密认证方案难以有效解决应用层的服务交互安全问题；本发明结合保密专网的高安全性需求，通过自动化生成加密认证逻辑、细粒度...

本发明公开了一种闭眼瞳孔监测系统及方法，旨在解决现有闭眼瞳孔监测技术精度不高、操作不便等问题。系统包括近红外发光隐形眼镜和可穿戴类眼罩装置。隐形眼镜内置环形排布的近红外LED及ASIC芯片，通过射频无线供能，发射近红外光经瞳孔透射；类眼...

本发明公开了一种基于移动等值面阈值方法的蜂窝复合材料结构可靠性拓扑优化方法，包括：针对蜂窝复合材料结构，构建包含多层的拓扑优化模型；采用移动等值面阈值方法，对拓扑优化模型进行求解，并更新元素密度直至收敛；评估拓扑优化模型中的概率约束，并...

本发明提供了一种可调微电子传感器阵列探针组件，组件包括下压件、待测传感器、探针以及激励电路板，基座上设置有至少两个可调单元，调节可调单元之间的间距以适配不同型号的待测传感器，待测传感器通过定位板放置于基座上，通过定位板约束待测传感器和滑...

本发明提出了一种窄脉冲时延补偿型平面透射阵列天线，属于天线技术领域。该天线包括透射阵列天线和馈源天线；透射阵列天线中各阵元根据其与馈源之间的间距，对馈源发射的电磁波进行时延补偿，以提高反射波束在预期方向的增益；所述阵元，包括移时结构和移...

本发明提供了一种提升碳化硅结终端抗单粒子烧毁能力的结构及制备方法，器件结构包括：N<supgt;+</supgt;衬底、N型缓冲层、N型漂移区、电流拓展层、P型阱区、拓展P型阱区、过渡区P型阱区、P型场限环、P型源区、N型源...

本发明提供了一种基于缝洞体信号特征增强与连通性检测方法，该方法从原始地震数据出发，首先对地震数据进行预处理，主要为以基于Hankel矩阵的SVD去噪方法进行噪声压制，而后采用多窗口相干性扫描的方法结合二次曲面拟合获得高精度地震视倾角。再...

本发明提供一种具有电位感测功能的IGBT芯片，可以获得到与IGBT集电极电压变化趋势相同的电位，及时反馈的同时，不额外增加器件的面积。感测区域采用与IGBT元胞区同一套工艺流程，感测结构与原器件的兼容性好，不需要额外的检测电路，可以减小...