用于刻蚀ＢＳＴ薄膜的腐蚀液及制备方法，涉及一种可刻蚀高温晶化处理的ＢＳＴ薄膜的腐蚀液，属于微电子技术领域，特别涉及电子薄膜制备技术中的图形化过程。本发明其组分中含有ＨＮＯ↓［３］，以体积比计算，ＢＨＦ∶ＨＮＯ↓［３］∶Ｈ↓［２］Ｏ＝ａ∶...

硅溶胶定形的石蜡复合相变储能材料的制备方法，属于定形复合相变储能材料制备技术领域。本发明以硅溶胶、石蜡为原料，制备时，先将石蜡类物质加入到硅溶胶中，然后加入必要的添加剂，加热混合体系，快速搅拌让体系形成乳液状。调节体系的ｐＨ值或者加入沉...

一种磁性微粉及制备方法，属于吸波涂料生产技术领域，涉及金属磁性微粉吸收剂微波吸收性能改善方面。本发明在磁粉表面包裹有一层高电阻率的包覆膜。本发明的有益效果是降低了金属磁性微粉的介电常数；提高了金属磁性微粉的抗氧化性、分散性；制备工艺简单...

一种氧化硅改性的硫化锌纳米材料的制备方法，属于无机化学材料技术领域，具体涉及硫化锌纳米材料的制备方法。本发明以醋酸锌为锌源，以硅酸钠或者正硅酸乙酯为硅源，以硫化钠为硫源，采用溶胶－凝胶－水热晶化反应过程制备氧化硅改性的硫化锌纳米材料。所...

本发明公开了一种掺杂诱导沉积聚苯胺自组装超薄膜的制备方法，属超薄膜制备技术领域。它采用本征聚苯胺溶液及聚合物酸为原料，基于本征聚苯胺与聚合物酸的掺杂反应制备聚苯胺超薄膜。该制备方法中，控制聚苯胺溶液浓度和组装次数的方法，可在纳米尺度控制...

本发明属于高分子材料领域，特别涉及磁性二茂铁－双端基邻苯二甲腈树脂、固化物及它们的制备方法。本发明的磁性二茂铁－双端基邻苯二甲腈树脂结构如式Ⅰ所示，在无水强极性溶剂中磁性二茂铁－双端基邻苯二甲腈树脂与三价铁盐于１５０～１７０℃反应后洗涤...

本发明属于高分子合成材料领域。本发明具体涉及一种双端基邻苯二甲腈及其制备而成的树脂、固化物及其制备方法和用途。将４－硝基邻苯二甲腈和芳香族二元酚为反应单体反应可生成本发明双端基邻苯二甲腈。将所得双端基邻苯二甲腈与芳香族二元胺在１４０－２...

本发明属于高分子合成材料领域，具体涉及一种双端基邻苯二甲腈－苯并噁嗪树脂、固化物及其制备方法。本发明提供了一种４－氨基苯氧基－邻苯二甲腈单体，以及以其为原料制备得到的双端基邻苯二甲腈－苯并噁嗪树脂。本发明双端基邻苯二甲腈－苯并噁嗪树脂具...

本发明涉及一种含间苯链节的聚芳醚腈共聚物。本发明通过共聚反应有利于破坏结构的对称性，使合成过程易于控制，有利于提高产物的分子量。通过调节间苯二酚与另一二元酚的比例和种类，可以控制产物的结构与性能。改变种类，可以改变共聚物的力学性能和热性...

高磁导率高饱和磁感应强度ＭｎＺｎ铁氧体材料及其制备方法，属于铁氧体材料技术领域，本发明的铁氧体材料由主料和掺杂剂构成，其中，以Ｆｅ↓［２］Ｏ↓［３］、ＺｎＯ、ＳｎＯ↓［２］和ＭｎＣＯ↓［３］计算，主料包括以下组分：５１～５４ｍｏｌ％Ｆｅ...

本发明公开了一种导电聚合物有序纳米薄膜的制备方法，包括表面活性剂有序膜和表面活性剂／导电聚合物复合有序膜的制备。本发明的特点是，通过一种修饰Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｂｌｏｄｇｅｔｔ（ＬＢ）有序纳米薄膜的方法，利用纳米薄膜中提供的活性点来固定氧...

本发明涉及一种用于微波调谐元器件的铋基介质材料。本发明通过对铋基焦绿石结构铌酸铋锌材料的介电调谐机理的研究，并基于对铋基焦绿石结构类材料介电调谐机理的深入认识，提出增强铋基焦绿石结构类材料介电调谐特性的设想和实施方案，并据此公开了一种用...

纳米级陶瓷材料掺杂剂、高介抗还原多层陶瓷电容器介质材料及二者的制备方法，属于电子材料技术领域，特别涉及一种电容器陶瓷材料。本发明所制备的掺杂剂的尺寸达纳米级，成本低，均匀性好。本发明解决所述技术问题采用的技术方案是，提供一种纳米级陶瓷材...

一种低温烧结电子陶瓷材料的制备方法，属于电子材料技术领域。首先分别制备相同或相似化学成分的微米／纳米电子陶瓷微粉；然后将二者按照适当的配比均匀混合。再将混合均匀的电子陶瓷微粉经造粒、成型和烧结后制得块状电子陶瓷材料；或将其添加适量增塑剂...

一种低温烧结铁氧体材料用预烧粉料的制备方法，特别涉及多层片式电感器件用低温烧结铁氧体材料的预烧粉料的制备方法。按一定的配方称取原始粉料，一次球磨混合均匀后烘干；然后将烘干料按一定的升温速率升至最高预烧温度点保温预烧；保温预烧结束后，立即...

本发明公开了一种高密度双５０００ＭｎＺｎ铁氧体材料的制备方法，针对目前双５０００ＭｎＺｎ铁氧体材料的密度都低于５．０ｇ.ｃｍ↑［－３］，难以保证材料的耐磨性和硬度的特性，采用新配方和新工艺，不经过热压或热等静压，直接制备出密度达５．０ｇ...

本发明公开了一种高频功率铁氧体材料的低温制备方法，针对现有技术中的高温烧结工艺，采用低温工艺，将应用于５００～２０００ＫＨｚ的高频铁氧体材料的晶粒尺寸控制在３～６μｍ，从而使材料的性能指标达到开关频率ｆ↓［开］：５００～２０００ＫＨｚ，...

本发明属于电子材料技术领域。多元掺杂的高性能氧化铍陶瓷材料，除氧化铍外，还包括０．２～０．６％质量的多元掺杂剂；所述多元掺杂剂由ＭｇＯ、Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］、ＳｉＯ↓［２］、ＣａＯ、ＺｎＯ和稀土氧化物组成，各组分的质量百分比含量为：Ｍ...

钇铁石榴石铁氧体材料制备方法，涉及电子材料领域，本发明包括以下步骤：１）依据钇铁石榴石的化学式Ｙ↓［３］Ｆｅ↓［５］Ｏ↓［１２］计算出所需要的原料Ｆｅ↓［２］Ｏ↓［３］和Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］的比例；２）根据步骤１）计算的比例，将Ｆｅ↓［...

本发明属于电子功能陶瓷材料技术领域，涉及氧化铍陶瓷材料的制备方法。本发明采用ＢｅＯ原料和助烧剂分别分散并研磨的方式控制原料粒径，然后采用湿磨方式将二者均匀混合，经烘干、造粒并成型后采用本发明独特的三段式烧结方式烧结：首先在１０００℃到１...