本发明通过云平台到数据中心的查询系统及方法，通过云平台中的中央查询集群以统一方式接入到不同的数据中心，使云平台与数据中心有效的融合在一起，具备高扩展性，也提高了查询的准确度，用户通过云平台到数据中心查询相关结果时，先在查询结果缓存模块中...

本发明公开了一种节能数据中心的虚拟机迁移方法，在既有虚拟机映射方案中的所有物理机中，依次选择虚拟机数量最少的物理机进行虚拟机迁移，迁移时依次选择总业务流量最大的虚拟机，查找剩余资源容量可满足该虚拟机的物理机，如果出现多个符合的物理机，则...

本发明公开了一种测试熔断器抗浪涌脉冲电流的方法，属于熔断器技术领域。本发明包括：样品选取并进行电测试；样品分组；确定对测试样品施加的浪涌脉冲波形电流参数，记录测试数据；分析测试数据获得测试结果。本发明能够准确的测试出熔断器的抗浪涌脉冲电...

本发明公开了一种外场天线方向图的测试方法，通过将辅助天线和天线转台系统安装在可移动的机动设备上围绕被测天线做运动寻找测试站点，创新性地采用了光学测绘仪器中的全站仪来对天线移动时进行角度和距离定位，能够精确定位到相应偏离角度的测试站点。这...

本发明为了解决某些生物化学物质的探测问题，一种嵌有FP腔的MZ干涉式光学生化传感芯片，主要包括MZ干涉单元，所述MZ干涉单元包括两段光波导，在其中一段光波导上包含有光栅FP腔，所述MZ干涉单元与光栅FP腔具有不相同的自由光谱范围，二者光...

本发明提供了一种蓝色荧光粉，以简单的Eu2O3、Al2O3和AlN粉体作为起始粉料，利用高温固相反应法，通过高温煅烧成功获得了新型蓝色荧光粉。通过X射线衍射和扫描电镜分析，所得产物即为Al7O3N5:Eu蓝色荧光粉，为Eu掺杂AlON多...

本发明提供了一种超细、高纯γ-AlON透明陶瓷粉末的制备方法，使用γ-Al2O3粉体，以气态的碳源甲烷和气态的氮源氨气作为反应气体，粉体反应活性高，可在低温下发生还原氮化反应；待保温时间结束时，先关闭甲烷气体通入，保持氨气继续通入，残留...

本发明提供了一种制备微纳尺度碳胶囊的方法，采用乙炔气体作为反应物，在金属氧化物颗粒表面上原位生长出碳纳米层，这样可调控乙炔气体流量、反应时间、反应温度来影响催化反应速率，从而得到不同壁厚的微纳尺度碳胶囊。与机械球磨法和化学键连接法得到的...

本发明公开了一种十字绣数码喷印机布匹位置信息实时校正方法，校正方法如下：a.全程实时读取相机采集到的图像信息；b.对图像进行滤波、二值化、轮廓提取、方孔识别处理，获得每个方孔的行列坐标信息；c.得到每个方孔中心点的实际物理坐标；d.将方...

本发明公开了一种基于车联网接入因特网的方法，车载终端设备通过OBU上的无线AP接入到OBU，并通过OBU与RSU组成的VANET网络，实现与因特网间的相互通信，在保证OBU与RSU之间的正常通信下，实现了车载终端设备与因特网间的通信，能...

本发明公开了一种基于休眠节能机制的接入网带宽调度方法，针对系统总业务带宽无法完全满足三种类型业务请求的总带宽的情况，优先完全满足EF业务，再将剩余总带宽分配给AF业务和BE业务，对于AF业务和BE业务的ONU带宽分配，通过ONU带宽请求...

本发明涉及网络技术，具体的说是涉及一种用于多模通信设备的网络选择方法及其装置。本发明所述的方法主要步骤为：首先采用多层2元判决算法对选网过程进行建模，记录用户对应用的网络制式选择作为训练数据，然后根据网络参数和用户选择数据对判决算法参数...

本发明公开了一种连续相位QPSK调制装置，包括数据变化检测器，频率选择器，载波相位控制字发生器，额外累加相位控制字发生器，选通器，相位控制字计算器，相位控制字累加器和ROM查找表。本发明还公开了一种连续相位QPSK调制方法。本发明调制装...

本发明公开了一种连续相位QPSK调制装置，包括数据变化检测器，频率选择器，载波相位控制字发生器，额外累加相位控制字发生器，选通器，相位控制字计算器，相位控制字累加器和ROM查找表。本发明还公开了一种连续相位QPSK调制方法。本发明调制装...

本发明涉及电流舵数模转换装置，包括相连接的偏置数模转换器和数字逻辑控制单元，所述偏置数模转换器的输出端连接待校正数模转换器后，通过选通开关分别连接第一电流比较器和互换开关，其中第一电流比较器的输出端连接所述的数字逻辑控制单元，互换开关通...

智能热调整充电控制电路，涉及电子技术，本发明包括第一电流镜像电路、第二电流镜像电路；第一电流镜像电路的参考点接零温度系数基准电流源，第一电流镜像电路的镜像点接正温系数电流源；第二电流镜像电路的参考点接第一电流镜像电路的镜像点，第二电流镜...

本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种用于横向高压器件漂移区的耐压结构的工艺制造方法。本发明所述的制造方法主要步骤为：在横向高压器件漂移区上刻蚀出第一深槽，对第一深槽进行填充并形成第一导电类型杂质条；在横向高压器件漂移区上刻蚀出第二深...

本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种横向功率器件漂移区的制造方法。本发明所述的制造方法主要步骤为：在漂移区1上生长一层外延层，进行N型杂质和P型杂质注入，重复步骤a多次；通过退火处理，形成N型掺杂条22和P型掺杂条21；在N型掺杂条...

本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种用于半导体器件漂移区的耐压结构的工艺制造方法。本发明所述的制造方法主要步骤为：在漂移区31上进行刻蚀，形成介质槽2；在介质槽2的一侧注入P型杂质，形成P型杂质条43；在介质槽2的另一侧注入N型杂质...

本发明提供一种电机/气液负载模拟器系统，它包括基座、三个支架（2、11、12）、定位座、气液缸(4、5)、位移传感器、联轴器、压力传感器、曲柄摇杆、电机；基座承托整个系统元件；所述气液缸(4、5)由液压缸和气压缸串联结合；位移传感器为电...