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D多梅斯专利技术
D多梅斯共有2项专利
RC-IGBT的导通状态检测制造技术
本发明涉及RC-IGBT的导通状态检测。一种电路布置包括:反向导通IGBT,配置成允许在正向方向上和在反向方向上导通负载电流,IGBT具有负载电流路径和栅极电极;栅极控制单元,连接到栅极电极并且配置成通过分别根据栅极控制信号对栅极电极进...
具有自导通晶体管和自截止晶体管的半导体电路装置制造方法及图纸
描述了一种具有自导通晶体管和自截止晶体管的半导体电路装置,其具有:第一功率类型的自导通半导体部件(1);与第一功率类型互补的第二功率类型的自截止半导体部件(2),其负载路径与第一半导体部件的负载路径串联;第一操控电路(3),其连接在第一...
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